阿斯麦Q2业绩全面超预期，再度上调全年指引，宣布英特尔采用最先进光刻设备 | 财报见闻

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AI芯片需求持续强劲推动订单激增，半导体光刻设备巨头ASML季报表现强劲，多项核心指标超越市场预期，并上调全年业绩展望。

ASML第二季度净销售额达93.3亿欧元，超出分析师平均预期的88.5亿欧元；净利润为29.2亿欧元，亦高于市场预期的26.4亿欧元。毛利率录得54%，同样优于预期的52%。

基于强劲的业绩势头，ASMl将2026年全年净销售额预期区间从此前的360亿至400亿欧元大幅上调至430亿至450亿欧元，毛利率指引亦从51%至53%提升至54%至56%。公司预计三季度净销售额将达110亿至120亿欧元，中值远高于彭博分析师一致预期的102.7亿欧元，毛利率指引区间为55%至57%。

公司表示，计划在2026年约65台低数值孔径EUV设备产能的基础上，于2027年增加约30%，并正在研究2028年再增加30%的可能性。与此同时，ASML披露，英特尔已在美国俄勒冈州工厂正式将High NA EUV设备用于部分Ultra 3（猎豹湖）处理器的量产制造。

业绩全线超预期，第三季度指引再超预期

阿斯麦第二季度业绩在多项关键指标上均超越市场预期。净销售额93.3亿欧元较预估高出约5.4%，服务及现场运营销售额亦达27.6亿欧元，高于预估的24.9亿欧元。毛利率54%超预期2个百分点，净利润29.2亿欧元超预估约10.6%。

就第三季度指引而言，公司预计净销售额为110亿至120亿欧元，远高于市场预期的102.7亿欧元；毛利率预计在55%至57%之间。

全年展望方面，阿斯麦将净销售额上限从400亿欧元提升至450亿欧元，区间下限亦从360亿欧元抬高至430亿欧元，调整幅度之大在业内引发广泛关注。阿斯麦首席执行官Christophe Fouquet在财报声明中表示："基于当前业务势头，我们正计划在2026年约65台低数值孔径EUV产能的基础上，2027年增加30%的产能，并正在研究2028年再进一步增加30%。"公司同时宣布，下一届资本市场日将于2027年6月10日举行，届时将就市场与技术动态更新长期展望。

AI基础设施投资浪潮是核心驱动力

阿斯麦此前已于一季度上调过全年指引，其背后的核心驱动力在于客户持续扩大AI芯片产能。阿斯麦的EUV光刻机是全球唯一能够执行生产最先进AI芯片所需光刻工艺的设备，由此构成其不可替代的核心竞争力。

阿斯麦最大客户之一台积电（TSMC）本周早些时候公布的数据亦印证了这一需求趋势——台积电6月销售额同比大增68%，受益于旗下芯片的强劲需求。据路透社报道，台积电还计划在中国台湾南部嘉义科学园区新增两座先进封装厂。

瑞银分析师在7月10日的研究报告中指出，半导体晶圆厂的产能建设，以及AI驱动的先进制程芯片需求，预计将推动阿斯麦下半年表现持续走强。

英特尔采用High NA EUV，关键设备商业化迈出重要一步

阿斯麦与英特尔联合声明称，英特尔已在俄勒冈州工厂利用阿斯麦EXE High NA EUV设备制造部分Ultra 3（猎豹湖）笔记本处理器，具体采用该设备处理芯片的特定制造层，以积累数据并优化设备性能。英特尔在18A制造工艺中同时使用标准EUV及High NA EUV设备。

High NA EUV设备单台价格约4亿美元，约为标准EUV机台的两倍，且技术导入难度较高。英特尔早在2024年即在希尔斯伯勒研发基地接收了全球首台High NA设备，并率先安装了更接近量产版本的机型，此次系在此基础上正式推进至量产应用。

英特尔芯片制造部门执行副总裁兼总经理Naga Chandrasekaran在联合声明中表示："这一里程碑体现了英特尔与阿斯麦之间紧密的技术合作，展示了High NA EUV如何在先进半导体制造中实现规模化集成。"

台积电此前曾公开表示，最新一代阿斯麦设备成本过高，无法用于大规模量产，将推迟转向该技术的时间节点。英特尔此次采用举措，在一定程度上有助于缓解市场对High NA EUV商业化前景的疑虑，对阿斯麦推广该产品线具有积极的示范效应。

产能扩张路线明确至2028年

强劲的需求促使阿斯麦加速扩充产能规划。公司表示，计划在2026年约65台低数值孔径EUV设备产能的基础上，于2027年增加约30%，并正在研究2028年再增加30%的可能性。

这一产能扩张路径表明，阿斯麦对半导体设备需求的持续性持乐观判断，并正为未来几年可能进一步提速的技术迭代周期预留供给空间。