《科创板日报》7月15日讯(编辑 宋子乔)7月14日,晶圆代工厂力积电披露2026年二季度业绩,该公司总经理朱宪国在业绩说明会上表示,公司自7月起将存储代工报价上调45%,提价效应预计11月起反映在营收上,同时8吋与12吋逻辑代工价格亦同步上调10至15%,有望进一步拉动营收、提升盈利,同时提高存储业务在整体营收中的占比。
2026年二季度,力积电实现营收172.91亿新台币,环比增长27%,同比增长53%;税后净利润32.91亿元新台币,同比扭亏为盈,不过受基数影响环比下滑77%。本季度毛利率回升至28%,环比提升18个百分点,创下三年半以来新高。
该季度其产能利用率达87%,虽较一季度的88%小幅回落1个百分点,但相较去年同期75%已大幅回升16个百分点。
分产品线来看,存储芯片业务仍是力积电该季度营收主力。DRAM涨价红利持续释放,该业务营收占比达46%;闪存(Flash)占比约6%;3D AI晶圆代工(含Interposer、IPD、WoW等先进封装技术)营收占比由3.2%提升至5.4%;另外,电源管理芯片(PMIC)的营收占比为15%,分立器件12%,集成混合信号芯片3%,图像传感器(CIS)4%,高压工艺芯片7%。
朱宪国指出,AI服务器持续消耗全球内存产能,头部云厂商已提前锁定行业未来数年的DRAM供应,预估DRAM供需缺口将延续至2027年。其2026年资本支出预算约4.88亿美元,资金将聚焦DRAM及3D AI晶圆代工先进封装相关产能建设,并持续推进P5厂稼动率爬坡进度。
朱宪国介绍,公司自主研发的OneX DRAM工艺已于6月进入小批量试产,现阶段持续推进良率优化与客户认证工作;和美光联合开发的OneP工艺计划明年一季度完成设备进场,目标2028年年中实现量产,持续推进DRAM工艺向更先进节点迭代。
闪存业务受益于AI服务器与AI终端设备需求拉动,SLC NAND市场价格持续上涨,NOR Flash也因供给格局调整迎来增长机遇。朱宪国表示,力积电目前NOR Flash月度投片量已突破一万片,还在持续扩充订单,相关产品将逐步导入竞争力更强的20纳米工艺,并推出新一代产品。
力积电董事长黄崇仁表示,公司将持续优化产品结构,提高AI芯片、车规芯片营收占比,同步完成新竹厂区产线升级与设备整合。随着3D AI晶圆代工新品逐步放量,该公司目标三年内将其营收占比从5%提升至20%。
近日,全球两大晶圆代工龙头台积电与三星电子先后启动新一轮调价,涨价潮传导至下游晶圆代工环节。台积电已通知英伟达、苹果、AMD等核心客户,计划将3nm、5nm及7nm制程价格上调5%-10%,覆盖其七成以上晶圆代工营收。三星电子紧随其后,针对4nm、5nm先进制程及部分车规8nm制程,将新客户供货价格提高约15%。
据国元证券统计,26H2全球十大晶圆厂平均稼动率提升至90%,26H1代工价格普遍上涨5%-15%。该机构预计,26Q3一般型DRAM合约价环比增13%-18%,NAND合约价环比增10%-15%。
东海证券表示,与过往良率稳定后价格逐步下调的惯例不同,本轮涨价核心驱动力为AI芯片订单持续放量,导致先进制程产能长期满载,叠加HBM产能挤占效应与2nm等下一代制程研发及设备投资成本走高,市场供需与投资成本分摊正取代工艺成熟度成为定价主导因素,晶圆代工正从“抢客户”的买方市场向“供应商主导定价”的卖方市场转变。
该机构进一步称,这一变化将推高AI芯片及终端产品制造成本,除晶圆涨价外,HBM价格攀升与先进封装产能紧缺,预计将共同抬升英伟达、苹果等公司的成本压力,并可能最终传导至AI服务器及智能手机等终端产品价格。
(科创板日报 宋子乔)
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