百倍巨头拦不住国产GaN？

▷第三代半导体的普及，把所有玩家拉回了接近同一起跑线的位置。

7月1日，上海新国际博览中心，慕尼黑电子展开幕首日，人流陆续涌向各大半导体厂商展台。英飞凌展位前，工作人员正有条不紊布置CoolGaN G3系列样品。这是他们今年主推的高压氮化镓产品线，也是面向AI数据中心与车规市场的核心武器。

没人想到，开幕不过几个小时，一份生效司法禁令就让这些产品从展台上撤下。提出要求的是英诺赛科，依据苏州中院下发、最高法维持效力的行为保全禁令，他们要求展会方停止英飞凌涉案产品的展出。展会方最终支持了这一请求。

▲慕尼黑电子展现场（图源：慕尼黑上海电子展）

这是中国氮化镓领域的司法禁令，第一次在国际级电子展会上公开落地执行。作为连续21年领跑全球功率半导体的龙头，英飞凌在重要的中国市场遭遇了前所未有的公开阻击。随后英飞凌发布声明称相关表述未完整还原事件背景，涉案产品仍在司法审查程序中。

这次火药味十足的对峙，其实是一场横跨中美德三地、持续两年有余的全球氮化镓专利博弈的最新注脚。

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三线战场

这场博弈的先手，属于英飞凌。

2023年10月，英飞凌以8.3亿美元完成对加拿大氮化镓企业GaN Systems的收购，一举拿下350余个GaN（氮化镓）专利家族，叠加自有技术储备，手握的GaN相关专利家族超过450个。作为综合性功率半导体的全球龙头，英飞凌在氮化镓赛道的技术积累并非全靠自研，资本并购是它快速补全专利版图的核心手段。

收购完成仅半年，英飞凌就在欧美双线发难。

2024年3月14日，美国加州北区联邦地区法院正式立案，英飞凌起诉英诺赛科专利侵权，最初仅主张1项专利，当年7月提交修正诉状后扩充至4项。几乎同步推进的还有美国国际贸易委员会（ITC）的337调查。2024年7月26日，英飞凌向ITC提出申请，主张4项美国专利被侵权，要求签发排除令。8月30日，ITC正式立案。

在欧洲主场，英飞凌也向德国慕尼黑地方法院提起诉讼，并快速拿到了单方临时禁令。这套组合拳的意图十分明确，就是用ITC的海关排除令封堵美国市场，用德国司法禁令守住欧洲门户，从两条核心赛道阻断中国氮化镓产品出海路径。

只是ITC的审理过程，远比英飞凌预想的曲折。

案件推进过程中，英飞凌的专利主张经历了一轮明显瘦身。2025年5月前后，英飞凌主动撤回'562和'003两项专利，仅剩'481与'755进入实质审理阶段。2025年12月2日，ITC作出初步裁定，'481专利部分权利要求被认定侵权，'755专利不侵权，英诺赛科重新设计后的产品也不构成侵权。

▲英诺赛科就ITC终裁结果发布声明（图源：英诺赛科）

5月7日，终裁结果正式落槌。'481专利部分侵权，'755专利全部不侵权。ITC最终签发有限排除令与停止令，同时为总统复审期内进口的侵权产品设定了高额保证金。

但一个关键事实往往被忽略。这份排除令仅适用于英诺赛科的原始侵权产品，完成重新设计的当前在售主力产品并不在受限范围内。换而言之，英飞凌花了近两年时间推动的337调查，最终拦住的只是一款已经停产的旧型号。

面对海外的多线围堵，英诺赛科没有只走被动应诉的路子。

依托十年自研沉淀的两项650V高压硅基氮化镓底层基础专利，英诺赛科在2024年底于苏州中院反向起诉英飞凌CoolGaN™ G3系列10款氮化镓功率器件侵权。两项专利分别为“一种GaN功率器件及其制备方法”（ZL202311774650.7）与“氮化物基半导体器件及其制造方法”（ZL202211387983.X），保护范围覆盖主流高压器件的核心架构，绕开改造门槛极高，直接命中英飞凌CoolGaN G3全系主力高压产品线。

英飞凌的应对路径十分常规。先向国家知识产权局申请宣告这两项专利无效，试图从根源上打掉诉讼基础。2025年11月19日，国知局作出审查决定，维持两项专利全部有效，驳回英飞凌的全部无效请求；英飞凌不服，又向北京知识产权法院提起行政诉讼。2026年4月24日，北京知产法院判决全面维持专利有效性，驳回其诉讼请求。英飞凌这条“釜底抽薪”的路，没能走通。

专利有效性站稳之后，侵权判决的落地就顺理成章。5月27日，苏州中院一审判决英飞凌侵权成立，判令其停止在华销售、许诺销售、进口涉案的10款产品，赔偿1000万元，同时下发行为保全禁令。

6月12日，最高人民法院知识产权法庭驳回英飞凌的全部复议申请，维持禁令效力。于是就有了7月1日展会上的那一幕。需要明确的是，目前这份裁定的性质仍为临时禁令救济，案件的实体终审尚未完成。英飞凌在7月3日的官方声明中也提到，涉案产品仍处于司法程序之中，公司正依法主张自身权益。

在中国市场遭遇阻击的同时，英飞凌在自己的欧洲主场，拿到了更多的判决结果。

除了单方临时禁令，去年8月慕尼黑地方法院一审判决英诺赛科特定GaN产品侵权，今年6月中旬就另两项专利作出英飞凌胜诉判决，7月3日再次作出胜诉判决。

不少人会觉得，四战全胜，英飞凌理应牢牢锁死德国市场。事实恰恰相反。

英诺赛科在7月4日发布澄清公告，所有判决仅针对特定历史型号产品，公司当前在售的氮化镓功率器件均不在涉案专利的保护范围内，可在德国市场正常销售。这和ITC的结局如出一辙。

英飞凌赢了判决书，却没能拦住英诺赛科的主力产品继续在市场上流通。

▍02

从NASA到苏州

正是这场博弈，把英诺赛科推到了聚光灯之下。在此之前，它虽然不是一家活跃在大众视野中的企业，但绝对是创投圈中的明星企业。这就不得不提它的掌门人、“氮化镓女王”——骆薇薇。

与很多人想象中的不同，骆薇薇是数学出身，新西兰梅西大学应用数学博士，1999年加入美国宇航局（NASA）旗下研究院，并一路成长为首席科学家。正是这些经历，塑造了她对技术路线的前瞻判断。

2015年，第三代半导体产业曙光初现。彼时，国内第三代半导体刚刚萌芽，氮化镓赛道更是一片荒芜，而骆薇薇决定直接攻关8英寸硅基氮化镓晶圆技术。从6英寸升级到8英寸，单片晶圆的芯片产出量可提升近一倍，单颗芯片成本随之下降约三成。但工艺难度也随之陡增。按照专业评估，这可能需要长达九年的研发周期才能实现量产。

也在此时，骆薇薇回国创业，在珠海高新区成立英诺珠海（英诺赛科前身）作为小规模生产基地；2017年，由于英诺珠海产能受限，骆薇薇决定在苏州设立公司，也即现在的英诺赛科；同年，带领团队建成中国首条8英寸硅基GaN外延与芯片生产线。

骆薇薇对此有自己的判断：“经验不该成为发展的瓶颈和壁垒。”在她看来，这条路虽然少有人走，但只要在逻辑上可行，“就会找到路径去做”。

更令人意外的是，她不仅选择了8英寸工艺，还坚持走IDM全产业链模式，把设计、制造、销售都掌握在自己手里。这个选择后来被证明极具远见：正是IDM模式赋予的产线迭代能力，让英诺赛科在专利布局和产品性能上拥有了与巨头抗衡的底气。

2021年，吴金刚博士担任英诺赛科CEO。这位中科院物理化学博士，曾在中芯国际深耕20年，担任技术研发副总裁，被列为中芯国际五位核心技术人才之一。吴金刚的加盟，带来了顶级晶圆代工厂的标准化管理、先进制造经验与产业资源。

目前，公司在珠海和苏州布局了两座8英寸硅基GaN晶圆厂，产品覆盖15V-1200V全电压谱系。截至2025年底，合计月产能达2万片，规划2027到2028年苏州厂满产后达到月产7万片。客户覆盖OPPO、vivo、小米、比亚迪等消费电子与汽车厂商。

十年磨剑，资金是贯穿始终的燃料。

回顾英诺赛科的资本演进历程，企业在初创阶段便获得多方产业基金的前瞻布局——苏州展翼、招银系列基金、吴江产投、深商创投等机构的入局，为公司早期技术探索搭建了资本底盘。

2018年，公司完成两轮关键早期融资：4月获宁波嘉科投资、嘉兴金琥合计5500万元投资，注册资本扩充至17.8亿元；同年7月，珠海创投完成9000万元战略投资，持续为氮化镓技术早期研发与团队运营提供资金支撑。

自2019年开始，英诺赛科步入资本化快速扩张周期，融资体量持续跃升。公司当年完成15亿元B轮融资，集聚多家国内一线投资机构，同时引入SK中国、ARM等国际产业资本，股东阵容扩充至25家。

2021年5月落地14亿元C轮融资，宁德时代创始人曾毓群以个人名义投资2亿元。2022年2月完成26亿元D轮融资，由钛信资本领投，毅达资本、海通创新、中比基金等跟投，其中钛信资本出资6.5亿元。2024年4月，武汉高科、东方富兴入局完成6.5亿元E轮融资。

截至IPO前夕，英诺赛科累计融资规模突破60亿元，投后估值达到235亿元。长期、多轮、高质量的资本输入，持续驱动公司硅基氮化镓技术迭代与规模化产业化落地。

2024年12月30日，骆薇薇带领英诺赛科登陆港交所，为这场长达十年的征途画上了一个阶段性的句号。但更大的舞台才刚刚拉开帷幕。

上市仅半年多后，一则“进入英伟达供应链”的消息引爆市场，英诺赛科成为英伟达800V直流电源架构合作商名录中唯一的中国芯片企业。截至2025年7月，芯片出货量已超过10亿颗。骆薇薇也被业界誉为“氮化镓女王”。

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百倍体量差

这场博弈的张力，在两家公司悬殊的体量对比中体现得最为明显。

英飞凌的行业地位，不需要过多渲染。1999年从西门子半导体事业部独立出来，总部位于德国慕尼黑。2025财年实现营收146.62亿欧元，研发投入22亿欧元，全球员工约5.7万人，截至目前市值约940亿欧元。

根据EET中国与TechInsights的数据，英飞凌已经连续21年位居全球功率半导体市占率第一；同时也是全球第一大汽车半导体厂商，占据约13%的市场份额。

通过收购IR、Cypress等一系列资本运作，英飞凌构建了覆盖硅（Si）、碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）三大技术路线的完整产品矩阵，仅GaN相关产品就超过50款。此外，英飞凌还有位于马来西亚居林的全球最大200mm碳化硅晶圆厂；德国德累斯顿的智能功率晶圆厂也在7月正式投产。随着新工厂的投产，英飞凌德累斯顿基地正式成为全球最大的智能功率半导体和模拟/混合信号技术生产基地。

▲英飞凌德累斯顿智能功率晶圆厂投产（图源：网络）

无论从营收规模、产能布局还是客户覆盖来看，英飞凌都是功率半导体领域当之无愧的巨无霸。但恰恰在GaN功率半导体这个细分赛道，英飞凌只能排在后面。

相比之下，英诺赛科的体量，和英飞凌完全不在一个量级。

2025年英诺赛科营收12.13亿元人民币，折算成欧元约1.5亿欧元，刚好是英飞凌的百分之一左右。截至目前，港股市值约510亿港元。专利储备方面，英诺赛科累计约320项授权专利加430项申请，而英飞凌仅GaN相关的专利就超过450个。

但就是这样一家“小公司”，在GaN功率半导体赛道，拿到了全球约33%的市场份额、超42%的出货量份额，差不多是英飞凌的三倍。它仅用两项自研的底层专利，就让英飞凌的主力产品线在中国法院被判禁售，在国际展会上被迫撤展。

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市场正在经历什么

聊到这儿，我们不妨先跳出这场胶着的专利攻防，退一步回答一个更根本的问题：GaN功率器件赛道，到底走到哪一步了？

根据Yole Group统计，2024年全球GaN功率器件市场规模为3.55亿美元，预计2030年将接近30亿美元，年复合增长率达到42%。

▲氮化镓功率半导体发展阶段（图源：招股说明书）

再看应用结构，GaN功率器件赛道正在从消费电子单极驱动，转向多极拉动的全新阶段。

说起氮化镓，大家第一反应就是手机快充。直到今天，消费电子依然是行业基本盘，到2030年仍将占据50%以上的市场份额，核心趋势是功率升级和多口高功率充电器的替代，市场底盘很稳。

AI数据中心是当前最大的增量市场。随着AI算力需求的爆发，数据中心对高效电源系统的需求急剧上升。GaN技术凭借高效、紧凑和散热优势，正成为下一代服务器电源的关键推动者。

800V高压直流架构的普及，为氮化镓开辟了DC-DC、IBC等全新的应用环节。英诺赛科作为唯一入选的中国供应商，已为英伟达800V DC电源架构提供全链路GaN解决方案。换而言之，中国的氮化镓企业，已经进入了全球顶级AI算力供应链的核心供电环节。

新能源汽车是确定性最高的落地场景。车载充电机（OBC）和DC-DC模块是GaN功率器件在车内的核心应用。氮化镓的高频特性可缩减电感、电容等无源元件尺寸，从而减轻整车重量；在功率转换过程中，采用GaN方案可大幅减少能量损耗，使电池模块的尺寸及重量减少70%。

2025年，英诺赛科车规级氮化镓芯片出货量同比增长105%；同年12月，英诺赛科与联合汽车电子、长安汽车联合宣布：基于公司650V高压GaN的6.6kW OBC系统成功在长安汽车车型上实现量产装车。

更远期的增长极是人形机器人。GaN功率器件能让关节驱动器以100kHz以上的频率运行。英诺赛科在2025年年报中透露，已经与多家国内外头部人形机器人企业达成合作，开发基于100V GaN集成式驱动器；并且公司首次实现了氮化镓芯片在机器人领域的量产出货。

整体来看，全球氮化镓功率器件正处于高速扩容的黄金增长期，行业已完成从消费电子单极驱动，到多场景协同拉动的结构切换。以英诺赛科为代表的国内厂商，已率先切入全球顶级 AI 算力与车规供应链，在全球赛道占据一席之地。英飞凌等海外巨头加速发起专利围堵，恰恰印证了这条赛道的增长价值，其本质是头部企业对增量市场份额的提前卡位。

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牌桌上的玩家

视角拉远，这场胜负不明的专利战并非两家公司的独角戏，全球氮化镓赛道的牌桌上，早已坐满了实力不等的玩家。

目前全球氮化镓功率器件的第一梯队，格局已经相对清晰。

根据英诺赛科招股说明书介绍，英诺赛科稳居首位，全球市场份额约33.7%、出货量份额超42%，是无可争议的出货量龙头。

紧随其后的反而是来自欧美的外资企业。

美国Power Integrations，主打自研的PowiGaN技术，嵌入其InnoSwitch系列AC-DC转换芯片中，是消费电子快充领域的传统强手，全负载效率可达95%以上，品牌认知度很高，全球市场份额约19.8%。

美国纳微半导体，采用Fabless（无厂化企业）模式，主打GaN功率IC集成方案，在系统级集成和快速设计导入上具备优势。目前，正在加速向AI数据中心领域转型，同时布局GaN和SiC两条路线，用高频低压GaN搭配高压SiC形成产品互补。全球市场份额约18.2%。

美国EPC，是增强型eGaN技术的先驱企业。2026年公司推出了第七代GaN技术，重点布局AI基础设施和机器人领域，在低压高频GaN器件上以快速迭代见长。全球市场份额约10.6%。

英飞凌，全球市场份额约10.5%。作为功率半导体的总龙头，它在GaN单项上却只能屈居追赶者的位置。目前它正在加速追赶，发布技术展望白皮书、推进300mm GaN晶圆技术。只是G3系列由于专利纠纷目前在华禁售。

头部梯队格局初定的同时，整个全球GaN功率器件产业，正在经历一轮深度的整合洗牌。

瑞萨电子2024年以3.39亿美元收购了Transphorm，甚至主动缩减了碳化硅的量产投入，转向聚焦氮化镓赛道；安森美则和英诺赛科签署了产能合作协议；三星正在规划8英寸GaN产线；德州仪器也在稳步推进自有GaN技术的研发与落地。

行业的竞争重心，已经从早期的“谁有技术”，转向了“谁有稳定产能、谁有核心专利、谁进入了顶级客户的供应链”。小玩家的生存空间正在被快速压缩，头部效应会越来越明显。

视线拉回国内，GaN也早已从早期的一骑绝尘，逐步形成了百花齐放的梯队格局。

三安光电是国内产业链纵深最完整的玩家之一，覆盖衬底、外延、晶圆、器件全产业链，是国内少数拥有规模化GaN功率器件产线的IDM厂商。同时还布局了射频GaN业务，通过厦门三安集成运营，是国内少数实现GaN射频芯片规模化IDM量产的企业。

▲华润微与投资者互动（图源：东方财富网）

华润微在车规级GaN模块领域出货量位居国内前列，7月3日它在与投资者的互动中明确回应，称英飞凌相关产品禁售对公司销售有正面促进作用，是禁令落地的直接受益方；士兰微则在消费类GaN快充芯片领域出货量位居国内前列，是消费电子赛道的主力厂商。

上游外延环节，苏州纳维、东莞中镓、三安集成、赛微电子、晶湛半导体等，已经在各自细分赛道形成了稳定的供给能力。

放在更长的产业周期里看，国内氮化镓厂商的集体成长，本质上也是中国功率半导体专利能力的一次突围。

传统硅基赛道发展了数十年，核心专利早已被海外巨头瓜分殆尽。国内企业起步晚，很长一段时间在专利纠纷中只能被动应对，产品出海碰到专利阻击，多数时候只能靠和解、调整设计绕路解决。

第三代半导体的普及，把所有玩家拉回了接近同一起跑线的位置。氮化镓技术路线成熟时间不长，核心专利的壁垒尚未完全封死，国内厂商从研发第一天起就同步铺排知识产权布局，尤其是走IDM路线的企业，产线迭代和专利沉淀深度绑定，一步步攒出了覆盖器件底层结构的核心技术储备。

回顾英诺赛科和英飞凌这场横跨中美德三国、持续了2年之久的专利战争，最终决定格局的永远是三个硬指标：底层专利的深度、8英寸量产的规模、产品迭代的速度。

但不可否认的是，全球功率半导体的价值分配格局，已经开始被重写。英飞凌在自己的《2026年GaN技术展望》里畅想着30亿美元的未来，但它可能没预料到，牌桌上的中国玩家能够在国际展会上让它把自己的主力产品撤下去。