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（来源：快科技）
快科技7月14日消息，在3nm制程尚未全面普及之际，台积电1.4nm工艺A14已蓄势待发。据媒体报道，台积电1.4nm工厂建设进展顺利，第一座厂房有望在明年4月前完工。
根据供应链评估，台积电最快明年第三季度即可启动1.4nm试产作业，赶在2028年中实现规模化量产。据悉，新建的晶圆工厂位于中国台湾中部的科学园区。
为保障1.4nm工艺顺利量产，台积电计划建设四座工厂。据估计，台积电已投入高达490亿美元的巨额初始投资，而每座晶圆厂未来都有可能创造160亿美元的年营收，投资回报预期相当可观。
台积电1.4nm工艺采用第二代GAAFET（全环绕栅极）纳米片晶体管技术，并引入NanoFlex Pro标准单元架构。该架构允许设计人员在芯片设计阶段针对特定应用灵活调整晶体管配置，从而优化性能、功耗与面积。
在性能表现方面，相比N2工艺，1.4nm在相同功耗下性能可提升10%至15%，在相同性能下功耗可降低25%至30%。逻辑晶体管密度提升约23%，芯片密度提升约20%。
不出意外，苹果将是率先采用台积电1.4nm工艺的客户。报道指出，苹果M8芯片和A22 Pro芯片将首发采用1.4nm工艺，延续苹果在先进制程上的先发优势。
目前来看，在先进工艺制程的竞赛中，台积电正以全方位优势持续领先三星与英特尔。相比之下，三星的SF1.4已推迟至2029年量产，英特尔14A也计划于2029年量产，台积电在时间节点和技术成熟度上均保持明显领先。
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