北京
分享至
国家知识产权局信息显示，应用材料公司申请一项名为“用于处理腔室的等离子体注入配置及相关设备、腔室套件和方法”的专利，公开号CN122396828A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本公开关于用于处理腔室的等离子体注入配置及用于半导体制造的相关设备、腔室套件和方法。在一个或多个实施方式中，一种适于在半导体制造中使用的处理腔室包括：一个或多个侧壁；窗，所述窗至少部分地界定处理容积；基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述处理容积中；及一个或多个热源，所述一个或多个热源可操作以加热所述处理容积。所述处理腔室包括：流动外壳，所述流动外壳至少部分设置于所述一个或多个侧壁外部；及一个或多个射频（RF）线圈，所述一个或多个RF线圈至少部分地设置于所述流动外壳周围。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
