北京
国家知识产权局信息显示，云南中科鑫圆晶体材料有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司申请一项名为“一种基于梯度压力缓释与动态化学调控的锑化铟表面抛光清洗方法”的专利，公开号CN122373708A，申请日期为2026年3月。
专利摘要显示，本发明公开了一种基于梯度压力缓释与动态化学调控的锑化铟表面抛光清洗方法，步骤包括：上蜡、一次粗抛、二次粗抛、半精抛、卸片去蜡、精抛、预清洗、清洗。该方法通过在多级抛光阶段引入梯度压力缓释策略，配合有机酸与钠盐体系的动态化学调控，实现抛光过程中的应力递进释放与表面选择性蚀刻。在精抛阶段采用吸附垫稳固晶片，避免传统上蜡引入的有机物污染，并结合后续的协同清洗与表面钝化工序，形成一体化抛光‑清洗‑钝化协同工艺。本发明能够获得表面粗糙度Ra≤0.15nm、氧化层厚度控制在1.2±0.3nm以内、无划伤、超洁净的高质量锑化铟表面，显著提升衬底表面质量与外延生长适配性。
天眼查资料显示，云南中科鑫圆晶体材料有限公司，成立于2008年，位于昆明市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本32645.804万人民币。通过天眼查大数据分析，云南中科鑫圆晶体材料有限公司参与招投标项目27次，专利信息93条，此外企业还拥有行政许可16个。
云南鑫耀半导体材料有限公司，成立于2013年，位于昆明市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本48601.064401万人民币。通过天眼查大数据分析，云南鑫耀半导体材料有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目22次，专利信息98条，此外企业还拥有行政许可12个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
