北京
国家知识产权局信息显示，上海新微半导体有限公司申请一项名为“激光器腔体结构的制造方法、激光器腔体结构及激光器”的专利，公开号CN122370853A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，本发明提供一种激光器腔体结构的制造方法、激光器腔体结构及激光器，其中，所述制造方法包括：提供一半导体结构，所述半导体结构包括依次堆叠的支撑衬底、牺牲层和外延结构；对外延结构进行刻蚀并停止于牺牲层的表面以形成前腔，以及对外延结构进行刻蚀并停止于牺牲层的上方以形成背腔；沉积腔面钝化层，腔面钝化层覆盖前腔及背腔的侧壁；在背腔内沉积金属层。本发明提供的所述制造方法，由于背腔的深度小于前腔的深度，背腔的深宽比得以减小，使得金属材料能够更容易地到达并附着在背腔的侧壁上，这极大地改善了对背腔侧壁的台阶覆盖能力，保证了金属反射层的连续性和完整性，从而显著提高器件的可靠性和生产良率。
天眼查资料显示，上海新微半导体有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本270950万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新微半导体有限公司参与招投标项目863次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息170条，此外企业还拥有行政许可98个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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