江苏
据投融湾获悉，近日，上海快粼光电科技有限公司（下文简称：快粼光电）成功完成数千万元天使轮融资。本轮融资由小苗朗程领投，一村资本跟投。
快粼光电创立于2024年4月，公司总部位于上海市浦东新区。快粼光电是国内III-V族磷化铟基超高速光电探测芯片全链路自研产业化服务商，核心赛道卡位AI算力光互联、6G太赫兹通信两大前沿领域，填补国内200GHz以上超高速收端光芯片国产化空白。
创始人李林泽、王景熠、王鲁玉、龙天宇
李林泽，上海科技大学电子科学与技术专业本硕博连读博士。深耕磷化铟基超高速光电探测器研发五年，主导研发国内首款带宽突破200GHz的磷化铟UTC-PD芯片，攻克带宽-响应度难以兼顾的行业共性瓶颈，芯片带宽效率指标刷新国内纪录。2024年，创立快粼光电，统筹公司技术路线、资本对接、客户拓展全部核心业务。
联合创始人王景熠，上海科技大学信息科学与技术学院2022级电子科学与技术专业博士研究生，获评中国光学工程学会科技新星，持有ACCA高级商业会计证书。目前专职负责公司商业化落地、供应链搭建、财务体系运营、客户商务对接，统筹样品交付、测试合作、产业渠道拓展，平衡技术研发与企业商业化运营。
联合创始人王鲁玉、龙天宇，上海科技大学博士，师出同一课题组。王鲁玉主攻850nm、C波段多波长兼容低噪声高速探测器器件设计。龙天宇负责超高频射频封装、后端微波电路开发、量产良率优化。
全部产品基于自主磷化铟UTC单行载流子探测器架构
快粼光电的产品全部基于自主磷化铟UTC单行载流子探测器架构，覆盖数通光通信、6G太赫兹、光子集成三大赛道，分为标准化芯片裸片、封装器件模组、异质集成光子芯片三大板块。其中，磷化铟超高速光电探测器裸片包括：1310/1550nm C/L波段220GHz UTC-PD芯片和850nm短距高速PD芯片。太赫兹通信专用UTC-PD芯片与封装模组是面向6G光载无线、光子太赫兹雷达、无线传输设备，芯片覆盖直流至300GHz射频频段，配套自研低损耗高频封装结构。前沿在研产品线：III-V异质集成光子芯片包括：III-V on TFLN（薄膜铌酸锂）集成探测芯片和III-V on SiPh硅光混合集成芯片。
四层全链路自主可控底层技术壁垒
快粼光电构建起四层全链路自主可控底层技术壁垒，主要覆盖器件核心结构、III-V材料工艺、超高频射频封装、异质光子集成。其中，高带宽高效率UTC单行载流子探测器器件结构技术是底层核心技术，解决传统探测器带宽与响应度互相制约的核心矛盾。III-V磷化铟材料外延与流片适配工艺技术是自主建立器件与外延工艺协同仿真体系，解决超高频器件工艺一致性差、量产成本高的痛点。
0-300GHz超宽带低损耗射频封装技术是自研同轴射频接口、微波传输线、一体化热管理复合封装结构，是国内少数商用化300GHz高频封装自研方案。III-V与硅光/薄膜铌酸锂异质集成耦合技术是自主研发端面耦合、垂直耦合混合集成工艺，实现磷化铟高速探测器与硅基、铌酸锂基光子芯片无缝兼容，弥补硅光平台无高速高响应探测器件的短板。
市场增长稳定，替代空间广阔
随着AI大模型算力爆发，进而驱动数据中心光互连持续升级，800G、1.6T、3.2T光模块渗透率快速提升，光接收端磷化铟高速PD芯片为核心刚需器件。当前200GHz以上高端UTC-PD芯片市场长期被海外厂商垄断，国内国产化率还不足15%，国产替代增量空间广阔。
作为上海科技大学博士团队孵化的化合物半导体硬科技初创企业，未来，快粼光电有望成长为国内超高速磷化铟光电探测芯片细分赛道标杆企业，推动高端化合物半导体光芯片全面自主可控。
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