上海
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7月10日，高带宽内存HBM作为多层DRAM垂直堆叠的高附加值芯片，是英伟达（NVDA.US）等AI加速器性能的核心部件。
此前HBM基底芯片（Base Die）采用成熟制程，但HBM4起引入智能手机AP与服务器CPU的先进逻辑制程，其数据调度效率直接决定整体性能，成为三大存储厂商竞争焦点。
三星电子采用自研4nm制程基底芯片，实现从设计、生产到封装全链条垂直整合，全力提升性能，预计主导英伟达高端HBM4订单，但面临良率偏低挑战。
SK海力士现阶段使用台积电（TSM.US）12nm成熟工艺保障量产稳定，已获苹果（AAPL.US）、英伟达等验证，计划未来过渡至3nm，并依托MR-MUF封装技术实现性能与产能平衡，走稳健迭代路径，但受台积电产能分配影响存在不确定性。
美光科技（MU.US）仍以成熟制程为主，先进基底芯片布局滞后，战略侧重供应链稳定与成本控制，自研及代工绑定力度弱于韩企，产品迭代节奏相对缓慢。
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