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据Wccftech报道，英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，被认为是HBM4的替代方案，能够带来更高的带宽。过去几年里，HBM一直是AI加速器的标准配置，不过现在部分产品改用了LPDDR，以便在供应短缺、价格、以及功率等方面取得平衡。
虽然LPDDR更高效、容量也更大，但是也存在带宽不足的问题。前一段时间高通提出了HBC架构，将计算与高速内存带宽结合，采用3D堆叠芯片解决方案。相较于HBM，HBC提供了更快、更高效、更具可扩展性的处理。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，HBC堆栈底部为近内存加速器单元，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。
今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，不过尚未进入商业化阶段。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，预计2030年前后实现商业化。
根据英特尔的描述，XBM采用了后段晶体管设计，包括一个封装基板、一个可选的基础芯片、以及一个堆叠的存储芯片。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，后端金属互连层），以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。
XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，成本相比HBM4会更低。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，封装尺寸与HBM 4保持一致。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，包括MoP，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。
从目标定位、性能指标和商业化时间表来看，业界猜测XBM与ZAM密切相关。
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