国家知识产权局信息显示,舍弗勒技术股份两合公司申请一项名为“功率模块、逆变器以及用于制造功率模块的方法”的专利,公开号CN122349797A,申请日期为2024年11月。
专利摘要显示,本发明涉及一种功率模块(LM),其包括:‑具有可烧结顶侧电接触面(KF1)的功率半导体元件(LE);‑具有用于建立顶侧电连接(BV1)的顶侧连接层(BS)以及在远离连接层(BS)的底侧上的可烧结纳米结构(NS)的连接元件(BE);‑其中,所述连接元件(BE)通过底侧纳米结构(NS)与功率半导体元件(LE)的顶侧接触面(KF1)烧结,从而与功率半导体元件(LE)的顶侧接触面(KF1)在物理与电上连接。此外,本发明还描述了一种具有上述功率模块(LM)的逆变器以及一种用于制造功率模块(LM)的方法。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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