北京
国家知识产权局信息显示，武汉新芯集成电路股份有限公司申请一项名为“光电探测器及其制造方法”的专利，公开号CN122349265A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本发明提供一种光电探测器及其制造方法，光电探测器的制造方法包括：提供一SOI衬底，所述SOI衬底包括自下向上的下层衬底、绝缘埋层和半导体层；形成第一绝缘介质层于所述半导体层顶面和侧壁；去除所述半导体层顶面的所述第一绝缘介质层；形成第二绝缘介质层覆盖所述半导体层和所述第一绝缘介质层；采用干法刻蚀工艺刻蚀部分厚度的所述第二绝缘介质层，以形成开口；采用湿法刻蚀工艺刻蚀所述开口底壁的所述第二绝缘介质层，以暴露出所述半导体层部分顶面；形成半导体吸收层于暴露出的所述半导体层上。本发明的技术方案使得能够提高半导体吸收层的生长质量，进而降低硅光芯片的暗电流、提升硅光芯片传输带宽等性能。
天眼查资料显示，武汉新芯集成电路股份有限公司，成立于2006年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本847900.6412万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉新芯集成电路股份有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目236次，财产线索方面有商标信息69条，专利信息1877条，此外企业还拥有行政许可109个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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