北京
国家知识产权局信息显示，厦门赛特勒磁电有限公司取得一项名为“一种反激电路”的专利，授权公告号CN224473219U，申请日期为2025年6月。
专利摘要显示，本实用新型公开了一种反激电路，包括设置在变压器初级侧的双管串联拓扑电路，变压器初级侧设置在电压输入高电位和低电位之间，变压器次级侧经次级电路后电压输出，所述拓扑电路为与变压器初级侧绕组串联且相互之间串联的第一MOS管电路和第二MOS管电路。通过采用上述结构，MOS管采用900VDC耐压的通用MOS管串联反激电路，应用于超宽超高压DCDC开关电源模块电路中，本实用新型使用的普通耐压MOS管一般使用TO‑220封装，不需专门的门极驱动芯片，可以有效解决单颗MOS封装大，无法分摊耐压和散热的问题，同时极大的优化整机综合成本。
天眼查资料显示，厦门赛特勒磁电有限公司，成立于2004年，位于厦门市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本130万美元。通过天眼查大数据分析，厦门赛特勒磁电有限公司参与招投标项目11次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息76条，此外企业还拥有行政许可17个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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