北京
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国家知识产权局信息显示，富采光电股份有限公司申请一项名为“半导体元件及其制造方法”的专利，公开号CN122349277A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明公开一种半导体元件及其制造方法。半导体元件包括外延结构、第一电极及第二电极。外延结构包括相邻的第一部分及第二部分。第一部分包括第一半导体结构及活性区，且具有第一上表面及第一侧表面。第二部分包括第二半导体结构，且具有第一下表面及第二侧表面。活性区位于第一半导体结构与第二半导体结构之间。第一电极覆盖于第一下表面上。第二电极覆盖于第一上表面上。在一剖面视角中，第一侧表面直接连接第二侧表面，活性区具有第一最大宽度，第二部分具有第二最大宽度，且第一最大宽度与第二最大宽度的比值介于0.9至1之间。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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