北京
国家知识产权局信息显示，朝阳微电子科技股份有限公司申请一项名为“一种基于垂直壁感压腔的硅压阻压力敏感倒装微芯片及其制备方法”的专利，公开号CN122329529A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，本发明涉及MEMS传感器技术领域，具体是一种基于垂直壁感压腔的硅压阻压力敏感倒装微芯片及其制备方法。本发明的垂直壁感压腔、亚毫米芯片边长和“三明治”状倒装特征的硅压阻压力敏感芯片的结构设计和制备工艺，既无经典的单晶硅感压膜片各相异性化学湿法腐蚀伴生的侧向腐蚀，又避免经典的感压膜片干法刻蚀的厚度均匀性和粗糙度的局限性。亚毫米边长尺度芯片不仅数倍提高单晶圆的芯片产出率，利于推进传感器体量轻微化不断趋近宏观“点”的极限。
天眼查资料显示，朝阳微电子科技股份有限公司，成立于1997年，位于朝阳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6151.8223万人民币。通过天眼查大数据分析，朝阳微电子科技股份有限公司参与招投标项目242次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息116条，此外企业还拥有行政许可7个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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