北京
国家知识产权局信息显示，上海新微半导体有限公司申请一项名为“HEMT器件外延、HEMT器件及其制备方法”的专利，公开号CN122340854A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，本发明提供一种HEMT器件外延、HEMT器件及其制备方法，该制备方法包括提供叠层结构，叠层结构包括衬底、位于衬底上的沟道层和位于沟道层上的势垒层；采用MOCVD工艺于势垒层上形成Mg掺杂p‑GaN层，通过在形成Mg掺杂p‑GaN层的过程中引入碳掺杂源，碳掺杂源中的碳元素与Mg掺杂p‑GaN层中的Mg元素复合形成钉扎中心，改变Mg元素扩散动力学，抑制Mg元素的扩散，且同时保证器件的性能和可靠性；同时控制碳元素的掺杂浓度小于Mg元素的掺杂浓度，从而在抑制Mg元素扩散的同时，维持Mg掺杂p‑GaN层的空穴浓度和低阻特性。
天眼查资料显示，上海新微半导体有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本270950万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新微半导体有限公司参与招投标项目863次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息168条，此外企业还拥有行政许可98个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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