【简讯】iPhone 18 Pro国行版首发自研基带C2 ；闪迪、铠侠联手推出332层BiCS10闪存

iPhone 18 Pro国行版首发自研基带C2

据苹果印度供应商塔塔电子泄露的数据显示，iPhone 18 Pro将根据销售市场的不同，分别搭载不同的基带芯片。其中美版继续使用高通基带，包括国行版在内的其它版本将首发搭载苹果自研基带C2。

据爆料，iPhone 18 Pro首发的C2基带内部代号为Ganymede。该基带目前尚不支持5G毫米波技术，而美版iPhone 18 Pro需兼容毫米波频段，因此苹果不得不继续依赖高通来填补这一技术空白。

外界普遍认为，苹果自研的C1和C1X基带在功耗控制上优于高通同类产品。这意味着搭载高通基带的美版iPhone 18 Pro，在续航表现上可能会较其他版本稍逊一筹。

对苹果而言，C2基带的推出具有重要战略意义，表明苹果正逐步降低对高通芯片的依赖。此外，C2基带预计将大幅改善iPhone 18 Pro的信号表现。消息称C2将显著提升iPhone在弱网环境下的连接稳定性。当用户身处信号较弱或基站覆盖较差的区域时，搭载C2基带的机型在网络连接稳定性上，预计将优于搭载高通基带的版本。

闪迪、铠侠联手推出332层BiCS10闪存

日前，闪迪与铠侠联合宣布，第十代BiCS FLASH 3D闪存技术BiCS10正式启动样品交付，首款产品为1Tb TLC型号，采用332层堆叠设计。

BiCS10在技术架构上延续了BiCS8时代就已采用的两大核心工艺。其一是CMOS直接键合到阵列技术，将CMOS逻辑电路与存储阵列分别在不同晶圆上制造，再通过高精度晶圆对晶圆对准键合。其二是间距选择栅极漏极技术，通过优化存储单元的排列布局来提升密度。这两项技术的成熟与迭代，为BiCS10实现332层堆叠和4.8Gb/s接口速度提供了底层支撑。

性能方面，BiCS10的NAND接口速度达到4.8Gb/s，较BiCS8提升了33%。位密度提升59%，实现了超过29Gb/mm²的业界领先存储密度。能效方面，输入功耗较BiCS8降低10%，输出功耗降低34%。写入能效提升18%，读取能效提升30%。

技术层面，BiCS10支持Toggle DDR6.0接口标准、SCA协议及PI-LTT低功耗技术。

铠侠预测2026至2028年NAND市场整体出货容量复合年增长率为22%，其中数据中心领域增速达46%。

两家公司均未将BiCS10定位为消费级产品，目前没有公布具体的单颗售价。该技术将优先应用于企业级与数据中心固态硬盘，专为AI训练、推理及大规模云工作负载设计。

REDMI K100系列外观全方位对标iPhone 18 Pro

今年REDMI K100系列将抢先小米18系列在8月份正式发布，据博主数码闲聊站透露，今年K100系列质感大加强，将采用大R角纯直屏+横向大矩阵金属Deco，工程机配色参考iPhone 18 Pro系列。工艺上也全面对标苹果，金属中框和玻璃背板采用同色方案，整机一体性更强。

受限于芯片和存储大涨的市场背景，K100这次将全系标配骁龙8E5，主要着重于提升其他方面规格，预计独一无二的三扬声器依然存在，主打超强外放。

正面将搭载185Hz超高刷直屏，支持超级像素，用1K的功耗获得2K的清晰度。影像方面拥有2亿大底主摄，并且支持长焦微距，预计会用上5000万像素潜望长焦。

其他方面，REDMI K100系列还将配备3D超声波指纹、金属中框、玻璃后壳、满级防水、对称双扬等规格。

三星与SK海力士宣布扩大半导体产能计划

三星和SK海力士宣布，计划未来十年内投资约1350万亿韩元（约合8740亿美元/人民币59270.31亿元），主要用于扩建半导体生产能力及数据中心。其中涵盖了DRAM、NAND闪存和逻辑芯片部分，也有AI数据中心、电池和显示屏工厂，以及相关设备，包括芯片制造工具、蚀刻、光罩等诸多领域。

这是一项由韩国政府主导的计划，通过三星和SK海力士大规模扩建DRAM和NAND闪存制造工厂，目标五年内实现存储芯片产能翻倍，从而引领全球存储市场。预计十年计划结束时，三星和SK海力士将在韩国新建四到五座半导体工厂，巨量投资涌入也将新增大量工作岗位。

TECHPOWERUP表示，SK海力士计划到2027年再安装20台EUV光刻机，同时从ASML处采购了2台High-NA EUV光刻机。三星已订购7台EUV光刻机，计划2027年末之前完成安装，另外正在将High-NA EUV光刻机整合至未来生产线。

根据之前的计划，这些晶圆厂要等到2040年或以后投产，现在新的时间点定在了2033年。

猫头鹰2026-2027产品路线图公布

近日，知名PC散热品牌猫头鹰（Noctua）公布了2026年剩余时间及2027年的产品路线图，计划推出一系列涵盖CPU散热器、外设和电源等的新品。根据路线图，2026年第三季度猫头鹰将推出多款此前在台北电脑展亮相的产品，其中包括与Pulsar合作推出的Feinmann F01 Noctua Edition鼠标，这是其外设市场合作计划的一部分。

此外，猫头鹰还将推出新型NT-CP1碳纳米管散热垫，专为AM5平台设计，以及与Thermal Grizzly合作的Wire View Pro II Noctua Edition监测配件。

2027年，猫头鹰将扩展其“Noctua Home”产品线，第一季度计划推出新款140毫米风扇，预计将采用此前NF-A12X25 G2风扇中的先进技术，同时还将推出新款USB风扇控制器，方便用户管理外部散热设备。

2027年第二季度将迎来更多新品，猫头鹰将与海韵（Seasonic）合作推出两款高端电源，以其标志性的设计和静音表现著称，产品包括优化版PRIME PX系列和下一代PRIME TX Noctua Edition电源。

此外，猫头鹰还将推出新款低矮型AM5平台CPU散热器，满足小型机箱用户的需求，同时计划推出新款工作站级CPU散热器，这些产品预计将在AMD锐龙Zen 6处理器发布时同步上市。

DDR5超频世界纪录刷新

近日，超频玩家saltycroissant在HWBot和CPU-Z认证平台上创下DDR5内存超频新世界纪录，将单根海盗船Vengeance LP 24GB DDR5内存条推至6802MHz，等效13606MT/s，成为首位突破13600 MT/s大关的玩家。

此次超频基于技嘉Z890 AORUS Tachyon Duo X ICE主板，这款主板在超频圈已多次助力打破纪录，搭配Intel酷睿Ultra 7 270K Plus处理器。使用的是液氮冷却，最终认证时序为CL68-127-127-127-2，CPU-Z验证页面显示，该成绩在2822条提交中位列全球第一。

saltycroissant并非首次刷新DDR5超频纪录，但此前其成绩多次被Sergmann、Hicookie等知名超频玩家超越。

突破13600 MT/s并非易事，玩家通常需要在BIOS中花费数小时精细调校，saltycroissant上传的截图还显示内存曾运行在6861.5MHz，等效13722 MT/s，但该频率尚未通过认证，因此13606 MT/s仍是当前正式世界纪录。

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