北京
SK海力士本周向美国证券交易委员会（SEC）提交修订后的F-1表格注册文件，持续推进赴美上市计划。
根据当地时间周二提交的文件，SK海力士披露一项潜在诉讼风险：当地时间上周四，“传统DRAM产品的间接购买者”在美国加州北区地方法院提起一项“拟议的反垄断集体诉讼”。原告指控SK海力士、其美国子公司及另外两家存储芯片制造商“从大约2022年10月开始串谋限制传统DRAM的供应并抬高产品价格”。
文件同时显示，根据全球市场调研公司IDC的数据，今年第一季度SK海力士在全球高带宽内存（HBM）市场的份额达56.4%，位列第一；按营收计算，同期该公司也是全球第二大NAND闪存供应商。
关于募资用途，SK海力士表示，计划将募集资金用于在韩国建设生产设施，以及采购总价值约11.9万亿韩元（约合76亿美元）的EUV光刻机，相关设备预计将于2027年12月交付。
此前当地时间6月30日，SK海力士已向SEC提交F-1招股说明书，正式启动赴美IPO程序，拟发行美国存托股份（ADS）并申请在纳斯达克全球精选市场上市，股票代码为“SKHY”，发行完成后将维持韩国KOSPI上市地位。此次修订文件未披露ADS发行价格等细节，SK海力士称，相关细节将通过与承销商的谈判确定，参考依据包括普通股最新交易价格、当前市场状况等。
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本文源自：市场资讯
作者：观察君
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