北京
来源：市场资讯
（来源：财富在线科技）
周一美股全线走高，道琼斯工业平均指数收盘报52182.74点，创下历史收盘新高。费城半导体指数探底回升大涨超4%，台积电涨5.26%，英特尔涨2.65%，西部数据涨超11%，美光科技涨1.14%。
财富在线表明：据国际金融报消息，美国存储芯片制造商美光科技日前公布强劲的第三财季业绩，公司实现营收414.6亿美元，同比大幅增长346%；调整后运营收益336.8亿美元，同比大幅增长1252.6%；调整后每股收益25.11美元，上年同期1.91美元，各数值均高于预期。
按照业务划分，第三财季，美光科技的DRAM贡献收入同比增长超过三倍；NAND闪存收入同比增长超过两倍；高带宽存储器（HBM）收入连续第二个季度突破10亿美元。
值得注意的是，公司毛利率达到84.9%，不仅高于市场预期，更较去年同期翻了一倍以上。对于半导体行业而言，毛利率持续提升意味着供需关系依然紧张，企业拥有更强的议价能力。美光预计，毛利率还将进一步升至约86%。
这些数据释放出一个重要信号：AI带来的存储芯片需求不仅没有降温，反而热度仍在持续推高。美光科技管理层表示，行业的供应紧张局面将持续至2027年以后，存储芯片供应紧张形势将在2028年逐步改善。
据证券时报，美银此前在研报中大幅上调全球半导体行业预测，认为AI需求正从验证投资回报转向解决芯片、存储和电力等结构性供给约束，存储芯片短缺与价格上涨将成为未来数年行业增长的核心驱动力。
杰富瑞投资银行表示，AI需求持续推高全球存储芯片市场，价格上涨趋势将在2026年下半年延续，并可能贯穿2027年。该机构预估2026年第三季度全球存储芯片价格环比上涨约40%—50%，而在第四季度还可能环比上涨30%—40%，将出现价格连续2个月大幅跳升。对于拐点时间，机构认为2028年才可能首次看到缓和迹象。
从涨价内因看：
在供给端，全球存储芯片产能正经历一轮结构性转移。
据集邦咨询数据，三星电子、SK海力士、美光科技三大巨头垄断全球90％以上的DRAM产能，近年来不约而同将先进制程产能向HBM倾斜。主要厂商纷纷将产能从传统产品向高附加值产品倾斜，导致中低端产品市场供应紧张。
国金证券指出，大模型迭代与算力集群扩张增加了对高带宽与大容量存储的需求，带动HBM与企业级SSD（eSSD）出货量快速增长；海外原厂产能持续向高附加值的HBM倾斜，导致传统DRAM与NAND供给偏紧。
在需求端，AI服务器是存储芯片最主要的增量需求来源。
一方面，随着大模型不断升级，AI芯片需要容量更大、速度更快、距离计算单元更近的HBM。另一方面，高盛指出，AI服务器需求的爆炸式增长，贡献了超50%的DRAM总需求。
高盛表示，2026年全球DRAM市场供需缺口达4.9％，NAND闪存缺口达4.2％，HBM缺口高达5.1％，均为2011年以来最高水平。
从国产机会看：
国信证券认为，AI需求重塑存储新范式，存储已不再是单纯的算力配套资源，而是成为了决定AI系统整体性能与上限的核心基础设施。
国产存储迎产业升级期。海外巨头将资本开支与有限的晶圆产能全力向HBM、DDR5以及AI企业级SSD等高附加值领域倾斜，战略性退出传统存量市场，这为国产存储产业链打开导入“窗口期”。
在2DNAND与传统DDR4利基市场，国产存储厂商有望填补需求缺口。此外，国内存储原厂与模组厂迎来“市占率提升与利润释放”的进阶期。
爱建证券表示，国产存储芯片产业链将会迎来一轮历史性的发展机遇。具体产业链环节包括存储芯片模组、存储芯片封测、存储芯片制造以及上游相关设备材料。
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
