湖北
近日，三星、SK海力士与美光三大全球存储芯片巨头在美国深陷集体诉讼风波。原告方正式指控三家企业涉嫌达成行业默契，通过协同调整产能结构，蓄意缩减通用DRAM产能供给的垄断行为，人为推高市场通用DRAM内存售价，扰乱全球存储芯片市场秩序。
2026年6月25日，美国加利福尼亚州北区联邦地区法院正式受理本案（案号3:26-cv-06345）。本次诉讼为集体维权诉讼，覆盖本轮通用DRAM价格上涨周期内，所有采购搭载该类内存产品的个人消费者、中小微企业及各类商业机构，原告方诉求包括经济损失赔偿，同时申请法院出具禁令，禁止三家企业继续实施垄断定价与产能操控行为。
诉状核心指控直指三家企业差异化产能布局的商业策略，认定其为刻意操纵市场价格的垄断手段，具体违规行为分为三大维度：
1、绝对垄断的市场支配地位
三家头部企业合计占据全球DRAM市场90%以上的市场份额，几乎垄断全球通用内存产能与供货渠道，完全具备单方面把控市场供给、干预产品定价的绝对市场影响力。
2、定向转移核心产能赛道
三家企业统一调整生产重心，将大量产线、研发及产能资源倾斜至技术壁垒更高、AI算力场景刚需、利润空间大幅领先的高带宽内存（HBM）赛道。
3、协同收缩通用内存供给
原告方举证指出，三家企业以布局HBM高端赛道为统一借口，同步缩减DDR4、DDR5等主流通用消费级、企业级DRAM产能，直接造成全球通用DRAM市场供需失衡。在行业前期低价出清库存的基础上，触发价格大幅反弹，行业数据显示，近四年全球通用DRAM价格最高涨幅达700%，形成持续性芯片涨价潮。
最近半年来，持续走高的存储芯片价格，让PC、服务器、消费电子等全产业链下游终端制造商面临刚性成本上涨压力，盈利空间被持续压缩。联想等多家主流硬件厂商纷纷发声预警，认为内存高价状态或将长期持续，成为行业发展“新常态”。
本次集体诉讼为三大存储巨头带来了强力的反垄断监管压力，但美股反垄断集体诉讼流程繁琐、审理周期漫长，短期内难以通过司法手段改变当前存储芯片的供需格局与价格走势。从行业供需基本面来看，通用DRAM价格短期回落的动力严重不足，涨价态势仍将延续。
总体来看，本次跨国集体诉讼，为全球存储芯片行业的垄断经营、恶意控价乱象敲响监管警钟，推动行业反垄断合规监管进一步升级。但从行业本质来看，受AI产业爆发带动的高端内存刚需红利加持，叠加三大巨头牢牢掌控全球DRAM核心产能，通用DRAM供需失衡、价格高企的市场格局短期难以彻底扭转。
在这种情况下，预计在未来一至两年，下游终端厂商、各行各业企业采购端以及普通消费者，仍将持续面临内存成本偏高、终端产品售价居高不下的现状，前景依然不容乐观。小编将在第一时间分享更多相关最新动态和爆料，敬请关注。
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