北京
国家知识产权局信息显示，格科半导体（上海）有限公司申请一项名为“一种用于背照式图像传感器的刻蚀方法及背照式图像传感器”的专利，公开号CN122294603A，申请日期为2026年3月。
专利摘要显示，本发明公开了一种用于背照式图像传感器的刻蚀方法及背照式图像传感器，所述刻蚀方法包含：提供一衬底，衬底正面依次形成有具有密闭空腔的外延层以及金属互连层；采用刻蚀工艺从衬底背面进行刻蚀，以沿垂直衬底表面方向打开密闭空腔并使空腔底部向下延伸；刻蚀工艺包含交替进行的刻蚀步骤及沉积步骤；通过控制刻蚀步骤的处理时间与沉积步骤的处理时间的比例为0.75：1~1.5:1；以及刻蚀步骤采用的刻蚀气体与沉积步骤采用的沉积气体的流量比为1:1.3~1:0.7，使得空腔底部连续形成累积的保护层，保护层在达到预定厚度或使局部刻蚀速率降低至预设阈值时抑制或阻止进一步的材料刻蚀，使得刻蚀自动停止在所需深度处，使延伸的空腔底部高于金属互连层的顶部。
天眼查资料显示，格科半导体（上海）有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本700000万人民币。通过天眼查大数据分析，格科半导体（上海）有限公司参与招投标项目21次，专利信息166条，此外企业还拥有行政许可112个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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