北京
国家知识产权局信息显示，湖州东尼半导体科技有限公司申请一项名为“一种用于在石墨工件表面气相沉积碳化钽镀层的石墨坩埚组件、方法、系统以及石墨工件”的专利，公开号CN122277287A，申请日期为2026年3月。
专利摘要显示，本发明涉及一种用于在石墨工件表面气相沉积碳化钽镀层的石墨坩埚组件及工艺。该组件包括坩埚本体、料碗、环形隔圈和坩埚盖。环形隔圈套设于料碗外，并与坩埚本体内壁间形成隔离腔，可引导钽粉蒸发气流沿坩埚内壁定向向上流动，显著提高原料利用率与镀层均匀性。本发明通过结构创新，将传统坩埚从简单容器升级为具备蒸气导流、热场管理与反应促进功能的高性能反应器，有效解决了TaC镀层制备中均匀性差、成品率低、成本高的难题，并为同类高温气相沉积工艺提供了新思路。
天眼查资料显示，湖州东尼半导体科技有限公司，成立于2022年，位于湖州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3044.4445万人民币。通过天眼查大数据分析，湖州东尼半导体科技有限公司参与招投标项目4次，专利信息21条，此外企业还拥有行政许可9个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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