北京
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国家知识产权局信息显示，ASM IP私人控股有限公司申请一项名为“用于形成含硼层的方法和系统”的专利，公开号CN122256930A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，通过等离子体增强原子层沉积（PEALD）工艺在衬底表面上形成氮化硼层的方法。该方法包括以下步骤：在反应腔室内提供衬底；以及执行至少一个沉积循环。沉积循环包括将硼前体提供到反应腔室中，硼前体包括卤化硼；以及将由反应物气体产生的等离子体生成的反应性物质提供到反应腔室中。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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