半导体巨头英飞凌相关产品在华禁售！

2026年6月12日，中国最高人民法院正式发出临时禁令复议裁定书，维持了苏州中级人民法院此前针对半导体巨头英飞凌的销售禁令。

半导体巨头英飞凌涉案的相关氮化镓(GaN)功率器件产品，即日起在中国境内被正式禁止进口、销售和许诺销售。

图/财联社

这一锤定音的判决，不仅让全球功率半导体巨头英飞凌在华遭遇重大挫折，也让其对手——国内氮化镓独角兽英诺赛科再次站到聚光灯下。

而要想真正看懂这起震动芯片圈的“专利终局”，我们首先需要先看看半导体巨头英飞凌和英诺赛科，各自在氮化镓这条赛道上写下了怎样的前世今生。

半导体巨头英飞凌与英诺赛科的氮化镓之争

这场席卷全球的知识产权之争，本质上是老牌巨头英飞凌与新兴挑战者在产业路径和商业模式上的一次正面碰撞。

先看半导体巨头英飞凌。作为由西门子半导体部门分拆而来的欧洲巨擘，英飞凌半导体巨头英飞凌是全球功率器件领域当之无愧的“执牛耳者”。

图/DepositPhotos

在以硅为基础的CoolMOS半导体时代，以及碳化硅(SiC)领域，半导体巨头英飞凌凭借深厚的IDM(垂直整合制造)底蕴，构建了极难被攻破的生态壁垒。

但在氮化镓这条“绿色高效”的新赛道，半导体巨头英飞凌的处境却有些微妙。它的CoolGaN半导体系列起步虽早，但受庞大硅基业务的拖累，市场推进十分缓慢，始终没能像硅基和碳化硅器件那样建立起统治地位。

为了扭转在氮化镓发生上的不利局面，2023年11月，半导体巨头英飞凌斥资8.3亿美元收购加拿大先驱GaN Systems，震动业界。

英飞凌此举的真正目标，是GaN Systems的超过350个核心专利。半导体巨头英飞凌的意图很直接：用资本换技术壁垒，将买来的专利与自身响亮的品牌效应相结合，在GaN赛道快速筑起壁垒。

与半导体巨头英飞凌靠资本“买买买”补齐短板的思路截然不同，2015年成立的英诺赛科，选择了一条在当时看来近乎“九死一生”的重资产突围之路。

在氮化镓产业发展初期，绝大多数初创企业都选择了轻资产的Fabless(无晶圆厂)模式将制造外包，且晶圆尺寸普遍停留在6英寸。

但英诺赛科从创立之初，就一意孤行地死磕IDM模式，在珠海和苏州重金建厂。

它一步到位直接上马8英寸硅基氮化镓量产线。从6英寸跨到8英寸，挑战的远不止晶圆直径多了两英寸。

硅和氮化镓这两种材料的晶格结构差异很大，热膨胀系数也不匹配，尺寸一旦放大，材料内部的应力就会急剧增加，轻则晶圆弯曲变形，重则直接碎裂，良率爬坡的难度可想而知。

但反过来看，一旦迈过量产门槛，单片8英寸晶圆能切出的芯片数量比6英寸多出约1.8倍，能够节省大量的单位成本。

图/英诺赛科官方公众号

英诺赛科最终赌赢了。TrendForce数据显示，2024年英诺赛科凭借巨大的产能和成本优势，拿下全球功率GaN器件市场约30%的份额，登顶第一。

截至2025年上半年，苏州与珠海两厂的8英寸硅基氮化镓产能已稳定在每月约1.3万片，成为全球最大的氮化镓晶圆制造基地。

一个是习惯用资本收购构筑专利壁垒的老牌欧美巨头，另一个是靠底层制造改写行业成本逻辑，并迅速拿下全球三成市场份额的中国新锐。当这两种截然不同的力量正面相撞，一场无法避免的全球专利大战就此拉开序幕。

半导体巨头英飞凌与英诺赛科跨越三大战场的全球交锋

半导体巨头英飞凌和英诺赛科之间的这场较量远不止于一地一隅的争夺，而是同时在美国、欧洲和中国三线开战，各地的诉讼进程相互牵制、环环相扣，构成了一场真正意义上的全球拉锯。

战火最先在海外点燃。2024年初，眼看英诺赛科在快充、数据中心等高端市场攻城略地、势头迅猛，半导体巨头英飞凌迅速出手，将收购GaN Systems所获得的庞大专利库转化为武器，对其发起了精准的定向打击。

在德国战场，半导体巨头英飞凌于慕尼黑地方法院提起诉讼，借助德国“侵权判定与专利无效审理分离”的独特双轨制，迅速申请到针对英诺赛科部分产品的销售临时禁令，使其欧洲布局一度受挫。

而在美国战场，英飞凌则随后向国际贸易委员会(ITC)提起“337调查”，直指英诺赛科多款核心产品侵权，意图将其全面逐出北美高端供应链。

面对来势汹汹的“337调查”，英诺赛科一方面委托代理律所在法庭上积极抗辩;另一方面，其研发团队在后方以极高效率启动了“规避设计”，也就是在不影响性能的前提下，对产品结构进行调整，绕开涉案专利的保护范围。

2026年5月7日，美国ITC就半导体巨头英飞凌诉英诺赛科氮化镓(GaN)专利侵权案(337-TA-1414)发布终审判决。裁定指出，英诺赛科当前主流在售产品及规避设计后的新架构型号，均未侵犯涉案的半导体巨头英飞凌专利，在美进口与销售不受限制。

图/集邦咨询官网

尽管ITC仍针对英诺赛科部分已停产的历史旧型号器件下发了有限排除令(LEO)，但由于该裁定豁免了英诺赛科的现行核心产品线，英诺赛科已实质性消除了北美市场的专利法律障碍。

在美国市场稳住阵脚的同时，英诺赛科深知最好的防守是进攻这个道理。于是它决定在自己的主战场，对半导体巨头英飞凌发起反击。

2025年初，英诺赛科正式向苏州市中级人民法院提起诉讼，将英飞凌科技(中国)有限公司、英飞凌科技(无锡)有限公司及相关分销商一并告上法庭，指控其侵犯了两项氮化镓底层发明专利。

半导体巨头英飞凌自然不会坐以待毙。它的反击策略很直接，试图从根源上瓦解这场诉讼，于是向国家知识产权局对这两项专利提起了“无效宣告请求”。

如果专利被宣告无效诉讼自然不攻自破。然而2026年4月，北京知识产权法院驳回了半导体巨头英飞凌的全部请求，两项专利的合法有效性被牢牢确认。有了这道行政裁决铺路，后续的司法审判便再无变数。

2026年5月27日，苏州中院作出一审判决，认定半导体巨头英飞凌侵权事实成立，判令其立即停止相关侵权行为，并赔偿经济损失1000万元。

半导体巨头英飞凌不服，又向最高人民法院提起复议试图推翻禁令。但最高法在6月12日发布了维持原判的复议裁定书。至此，英飞凌侵权GaN产品在华禁售的判决，被彻底钉实，再无翻盘余地。

实力论证英诺赛科对半导体巨头英飞凌的取胜关键

最高法的判决一出，外界有声音将其归结为“本土保护主义”。但事情的真相其实很简单：如果英诺赛科没有实打实的技术根基，那么这场对半导体巨头英飞凌的“氮化镓反击战”就根本打不赢。

英诺赛科在本土获胜的两项核心发明专利，绝非边缘性的封装外观专利，而是直接指向氮化镓器件最核心的电学物理结构与栅极稳定控制。

在材料物理层面，氮化镓因其极高的两维电子气(2DEG)浓度，天然呈现“常开型”特性。但为保障电源系统断电时的安全性，工业界必须将其制备为“常闭型”(增强型)器件。

图/英诺赛科官网

目前行业主流做法是引入p-type GaN栅极，然而这种结构在数百伏高压工作环境下，栅极漏电流极易失控，导致器件发生热击穿或退化。

英诺赛科胜诉的专利，正是通过精妙的底层半导体漂移区掺杂工艺与边缘终端结构设计，解决了高压、高频切换下如何有效抑制漏电流、保障器件长期可靠性的难题。

能够在如此底层的物理结构上开发出避开海外专利网并反向形成约束的自主技术，证明英诺赛科早已跨越了“代工与拿来主义”的初级阶段。

如果说专利是法律武器，那么商业落地才是检验实力的唯一标准。

随着全球生成式AI爆发，大算力芯片对服务器电源的功率密度要求近乎苛刻，数据中心已取代消费电子，成为GaN赛道最诱人的增量市场。

根据Yole Group最新发布的《Power GaN 2025》白皮书，在AI服务器、光伏储能与车载OBC的联合推动下，全球高压工业级GaN市场正迎来爆发期。作为NVIDIA MGX生态系统的关键成员，英诺赛科已开发出全链路“All-GaN”电源转换方案——在12kW大功率服务器电源方案中，使用其100V及150V低压大电流器件，可在高达1MHz的工作频率下，将峰值转换效率推向99%，全载效率达到98.2%。

图/英诺赛科官网

这种在高频、高温、大功率等极端工况下的表现，不仅打破了半导体巨头英飞凌、安森美等巨头在高端工业电源领域的垄断，更证明了英诺赛科在氮化镓技术上已经实现了对国际巨头的“并跑”甚至“领跑”。

半导体巨头英飞凌侵权GaN产品在华禁售的落地，将在中国本土第三代半导体供应链上撕开一个巨大的真空地带。

根据TrendForce的预测，全球功率GaN器件市场正处于极速狂奔阶段，产值预计将从2024年的3.88亿美元，以超过50%的年复合增长率飙升至2027年的数十亿美元级别。

与此同时，行业还面临另一个重大变量：全球最大的GaN晶圆代工厂台积电，计划于2027年前逐步淡出其部分GaN代工业务。要知道，台积电在2024年占据了全球功率GaN制造外包市场约41%的份额。

一方面是英飞凌相关产品在中国境内被全面禁售，另一方面是台积电代工产能未来预期的收缩，两股力量交织叠加，让下游整机厂商产生了前所未有的供应链不确定性焦虑。

图/英诺赛科官网

AI服务器电源商、车载OBC厂商、高端光伏逆变器企业，都在重新审视自身的供应链稳定与安全。

为了规避国际专利冲突导致的供应瘫痪风险，国内终端大厂的“去风险化”与“备份方案”被迅速提升为首要事务。

这无形中将原本由半导体巨头英飞凌占据的高端工业级、车规级客户，强力推向了国内半导体产业群。这场历史性红利不仅将反哺英诺赛科，也将雨露均沾地洒向整个本土第三代半导体生态，可以说国内的氮化镓厂商正在迎来打入核心供应链的“黄金时间窗口”。

英飞凌的相关GaN产品在华被禁，本质是一起由中国本土半导体企业利用法律与自主知识产权武器，成功捍卫自身核心利益的标杆性事件。

这件事向全球市场清晰地宣告了。在第三代半导体领域，中国企业不仅拥有产能规模，更在底层技术上筑起了属于自己的壁垒。

这场对决短期内会给部分下游供应链带来调整的阵痛，但对中国第三代半导体产业链的长远自立与崛起而言，是有着深远意义的。

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