北京
国家知识产权局信息显示，湖州辰熵纳米科技有限公司申请一项名为“一种高比容量、超低膨胀、高首效、循环优异的硅负极材料及其制备方法和应用”的专利，公开号CN122246051A，申请日期为2026年3月。
专利摘要显示，本发明涉及负极材料技术领域，尤其涉及一种高比容量、超低膨胀、高首效、循环优异的硅负极材料及其制备方法和应用。本发明的硅负极材料，包括铜箔和磁控溅射沉积在铜箔正面和背面的包括金属铜、硅的混合层，和包括硅氧化合物和金属铜的掺杂层。本发明将硅氧化合物控制在微米级别，进而大幅缩短锂离子扩散路径，提高材料的倍率性能；然后利用微米级金属铜、硅混合底层和掺杂层，使得首次库伦效率不至于因硅氧化合物膜层减小而大幅下降，并且可有效提高电子电导；同时微米级金属铜箔作为载体，磁控溅射制作微米级厚度的硅氧化合物、金属铜层、硅层，厚度可控，起到了限制体积膨胀的作用，从而提升材料的循环性能。
天眼查资料显示，湖州辰熵纳米科技有限公司，成立于2024年，位于湖州市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本100万人民币。通过天眼查大数据分析，湖州辰熵纳米科技有限公司共对外投资了1家企业，此外企业还拥有行政许可1个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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