北京
国家知识产权局信息显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司申请一项名为“一种半导体器件及制作方法”的专利，公开号CN122227645A，申请日期为2026年3月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件及制作方法，于硅基底中形成STI结构之后，且对硅基底的顶面进行热氧化处理之前，采用湿法清洗法对形成STI结构后的硅基底进行刻蚀处理，去除暴露的具有第二晶面的硅基底，以使保留的硅基底的顶面仅具有第一晶面，然后再对硅基底的顶面进行热氧化处理，由于硅基底暴露的顶面仅具有第一晶面，热氧化速率相同，能够形成厚度均匀的栅氧层，以避免栅氧层出现边缘尖角，提高器件的可靠性。
天眼查资料显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司，成立于2018年，位于青岛市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1006720.789212万人民币。通过天眼查大数据分析，芯恩（青岛）集成电路有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目184次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息1072条，此外企业还拥有行政许可57个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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