北京
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国家知识产权局信息显示，微芯片技术股份有限公司申请一项名为“耐水分的半导体器件”的专利，公开号CN122228767A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，一种耐水分的半导体器件（10）可以包括：衬底（15）和多个端子（20），该多个端子位于半导体器件的衬底中，其中该多个端子横向地相邻于半导体器件的有源区（18）。第一绝缘层（30），该第一绝缘层覆盖多个端子和衬底。沟槽（70），该沟槽进入到衬底中，该沟槽横向地位于多个端子的边缘之外。接触层（40），该接触层覆盖第一绝缘层。第二绝缘层（50），该第二绝缘层覆盖接触层。第二绝缘层覆盖沟槽。第三绝缘层（60），该第三绝缘层覆盖第二绝缘层。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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