北京
国家知识产权局信息显示，江苏容方半导体科技有限公司取得一项名为“在碳化硅衬底片生长外延层的感应加热外延炉”的专利，授权公告号CN224313719U，申请日期为2025年6月。
专利摘要显示，本实用新型涉及半导体材料制备技术领域，具体公开了在碳化硅衬底片生长外延层的感应加热外延炉，包括支撑板，所述支撑板的底面固定连接有四个支撑杆，所述支撑板的外表面固定连接有旋转机构，所述旋转机构的外表面固定连接有基座，所述基座的上表面开设有放置槽通过加热组件中的压力传感器感应到放置在放置槽中的碳化硅，随后经过控制器控制加热器运行，将热量输送至加热管道内，通过加热管道对加热室进行加热处理，继而实现对碳化硅衬底片生长外延层时进行加热处理，通过旋转机构带动放置在基座上放置槽内的碳化硅旋转，再通过生长外延层机构将原料喷涂在碳化硅上，实现对碳化硅衬底片生长外延层。
天眼查资料显示，江苏容方半导体科技有限公司，成立于2024年，位于无锡市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏容方半导体科技有限公司专利信息10条，此外企业还拥有行政许可1个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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