北京
国家知识产权局信息显示，中山德华芯片技术有限公司申请一项名为“晶圆级封装的Ⅲ-Ⅴ族柔性薄膜太阳能电池及其制备方法”的专利，公开号CN122138519A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本发明公开了一种晶圆级封装的Ⅲ‑Ⅴ族柔性薄膜太阳能电池及其制备方法，包括外延层、正面功能层、背面功能层和正面电极；背面功能层的边缘处形成有至少一个第一延伸部和第二延伸部，第一延伸部上设置有绝缘介质层；正面电极的栅线设置于外延层和正面功能层之间，正面电极焊盘设置于第一延伸部上，由第一延伸部、绝缘介质层和正面电极焊盘构成第一互联结构；第二延伸部上设置有背面电极焊盘，由第二延伸部和背面电极焊盘构成第二互联结构。本发明实现了大尺寸单体电池晶圆级的CIC封装与测试，省去了传统CIC组件加工步骤，减少了电池互联焊带使用，提升了晶圆有效区利用率，同时有效降低了成本，提升了太阳能电池的制造质量与可靠性。
天眼查资料显示，中山德华芯片技术有限公司，成立于2015年，位于中山市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本9790.416万人民币。通过天眼查大数据分析，中山德华芯片技术有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目10次，财产线索方面有商标信息12条，专利信息198条，此外企业还拥有行政许可44个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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