扬杰科技申请SIC MOS封装相关专利，实现电气与热传导解耦，提升散热降低热阻

来源：新浪证券-红岸工作室

6月3日消息，国家知识产权局信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种应用于SIC MOS领域的封装框架、封装结构及散热装置”的专利。申请公布号为CN122138725A，申请号为CN202610412210.4，申请公布日期为2026年6月2日，申请日期为2026年3月31日，发明人熊鹏程、徐雅超、杨程、陈润生、王毅，专利代理机构扬州市苏为知识产权代理事务所（普通合伙），专利代理师郭翔，分类号H10W70/40、H10W40/20、H10W40/22。

专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种应用于SIC MOS领域的封装框架、封装结构及散热装置。包括：第一框架，包括依次连接的散热基岛和第一引脚部；所述散热基岛顶面位于所述第一引脚部的上方，底部设有芯片承载区；所述散热基岛顶面边缘设有阶梯区；所述阶梯区与第一引脚部之间设有倒角台阶；所述散热基岛的厚度大于第一引脚部的厚度；第二框架，间隔设置在所述第一框架侧部；本发明实现了电气连接与热传导路径的解耦，显著提升了热管理能力，提升了散热能力，降低了系统的热阻。顶部散热设计比传统底部散热Rth（j‑a）改善约20%，Rth（j‑h）改善约50%；更改实现SIC芯片最高工作结温175~200℃的需求。

扬杰科技成立于2006年8月2日，于2014年1月23日在深圳证券交易所上市，注册地址和办公地址均位于江苏省扬州市。该公司是国内功率半导体领先企业，专注于功率半导体硅片、芯片及器件制造等中高端领域，技术实力强劲。

扬杰科技所属申万行业为电子 - 半导体 - 分立器件，涵盖IGBT概念、高派息、功率半导体等概念板块，是一家集研发、生产、销售于一体，专业致力于功率半导体硅片、芯片及器件制造、集成电路封装测试等中高端领域的企业。

2025年，扬杰科技实现营业收入71.3亿元，在行业18家公司中排名第3，远高于行业平均数39.84亿元和中位数13亿元，与第一名*ST闻泰312.53亿元、第二名士兰微130.52亿元仍有差距。主营业务中，半导体器件收入62.57亿元，占比87.75%；半导体芯片收入5.34亿元，占比7.49%；其他(补充)收入1.72亿元，占比2.41%；半导体硅片收入1.67亿元，占比2.35%。净利润方面，2025年达到12.45亿元，在行业中排名第1，行业平均数为 - 3.38亿元，中位数为5933.85万元，第二名捷捷微电净利润为4.76亿元。

扬州扬杰电子科技股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1一种应用于SIC MOS领域的封装框架、封装结构及散热装置发明专利公布CN202610412210.42026-03-31CN122138725A2026-06-02熊鹏程、徐雅超、杨程、陈润生、王毅2一种Power DFN框架、封装体及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610286131.32026-03-10CN121985840A2026-05-05熊鹏程、徐雅超、周德兴、赵振中、朱国伟、陈润生、王毅3一种三相半控整流桥复合封装及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511981365.12025-12-25CN121604824A2026-03-03张帅、姚文康、王双、陈润生、王毅4一种应用于车规系统的大功率TVS及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511950595.12025-12-23CN121729076A2026-03-24熊鹏程、徐雅超、周德兴、赵振中、朱国伟、陈润生、王毅5一种光伏旁路二极管模块加工工艺发明专利公布CN202511930765.X2025-12-19CN121693132A2026-03-17司天平、景昌忠、陈润生、王毅6一种中低压MOS器件掺杂结构的腐蚀溶液及分析方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511911493.92025-12-17CN121699615A2026-03-20李跃兵、王双、李长青、刘军、许愿、陈润生、王毅7一种分裂栅结构的IGBT器件及制备方法发明专利公布CN202511407480.82025-09-29CN120980899A2025-11-18龙宏耀、施俊、裘俊庆、陈润生、王毅8一种高稳定性沟槽型IGBT器件及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511407472.32025-09-29CN121152230A2025-12-16龙宏耀、施俊、裘俊庆、陈润生、王毅9一种降低沟槽底部电场集中的IGBT器件及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511407464.92025-09-29CN121240474A2025-12-30龙宏耀、施俊、裘俊庆、陈润生、王毅10一种高功率密度三极管及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511209188.52025-08-27CN120857527A2025-10-28代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅11一种高集电极电流三极管及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511207926.22025-08-27CN120916450A2025-11-07代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅12一种高EAS能力的三极管及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511208008.12025-08-27CN120916452A2025-11-07代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅13一种高频和高增益三极管及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511207991.52025-08-27CN120916451A2025-11-07代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅14一种高电流密度三极管及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511207877.22025-08-27CN121057236A2025-12-02代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅15一种便捷式旁路保护器件的加工方法发明专利公布CN202511154480.12025-08-18CN121017690A2025-11-28李广源、梁欣源、陈润生、王毅16一种适用于光伏轴向二极管一贯机及其使用方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511145062.62025-08-15CN121011539A2025-11-25徐超、司天平、陈润生、王毅17二极管擦字装置实用新型授权CN202521740722.02025-08-15CN224296845U2026-05-29徐超、司天平、陈润生、王毅18一种新型二极管金属线键合塑封一体机发明专利实质审查的生效、公布CN202510879767.42025-06-27CN120690730A2025-09-23耿印、王毅19一种半导体塑封模具异物检测机构及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510842518.82025-06-23CN120645350A2025-09-16刁卫斌、王毅20一种二极管外观检测装置及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510826492.82025-06-19CN120539278A2025-08-26耿印、王毅21一种抑制塑封分层的半包封框架及封装结构发明专利实质审查的生效、公布CN202510793665.02025-06-13CN120637356A2025-09-12代书雨、徐雅超、王玉林、张敏、王毅22提升绝缘耐压能力的整流桥堆实用新型授权CN202521114013.12025-05-30CN224205650U2026-05-05邱力宸、王毅23多引脚散热桥堆实用新型授权CN202521104107.02025-05-30CN224205649U2026-05-05姚文康、王双、吕强、王毅24一种改进半导体器件饱和压降的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510613311.32025-05-13CN120417408A2025-08-01龚闯、赵晓非、张晓勇、杨成祎、姚旭、王毅25单轴划片机释放应力减少崩边崩角的划片方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510148616.12025-02-11CN119704417A2025-03-28王鑫、王毅26一种FRED半导体器件及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510126905.12025-01-27CN119947137A2025-05-06崔龙、王毅27一种横向IGBT及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411996035.52024-12-31CN119730275A2025-03-28代书雨、王玉林、张敏、王毅28一种横向平面栅IGBT及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411996030.22024-12-31CN119730274A2025-03-28代书雨、王玉林、张敏、王毅29一种横向RC-IGBT及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411996027.02024-12-31CN119730273A2025-03-28代书雨、王玉林、张敏、王毅30一种自带续流二极管的平面栅IGBT及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411996043.X2024-12-31CN119730277A2025-03-28代书雨、王玉林、张敏、王毅31一种自带续流能力的IGBT及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411996042.52024-12-31CN119730276A2025-03-28代书雨、王玉林、张敏、王毅32自动防卡料管装上料装置实用新型授权CN202423295438.52024-12-31CN223547013U2025-11-14李伟贞、殷宪虎、王毅33整流桥周转管打塞装置实用新型授权CN202423295423.92024-12-31CN223574783U2025-11-21张杰、徐俊、殷宪虎、王毅34整流桥平整度检测装置实用新型授权CN202423266959.82024-12-30CN223551060U2025-11-14雍鑫、徐俊、王毅35框架镜像检测平台实用新型授权CN202423266953.02024-12-30CN223711466U2025-12-23沈青青、徐俊、王毅36一种增强栅氧可靠性的SiCMOSFET器件及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411950010.12024-12-27CN119743969A2025-04-01王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅37一种减小漏电的SiCSBD二极管及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411955197.42024-12-27CN119789443A2025-04-08王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅38具有P型掩蔽层的多晶硅沟槽SiC二极管实用新型授权CN202423253084.82024-12-27CN223652616U2025-12-09王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅39具有L型栅氧结构的SiC MOSFET器件实用新型授权CN202423247744.12024-12-27CN223652617U2025-12-09王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅40整流桥防反治具实用新型授权CN202423192234.92024-12-24CN223665429U2025-12-12金超、徐俊、王毅41一种集成SBD的SiCMOSFET器件及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411854926.72024-12-17CN119584574A2025-03-07王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅42一种晶圆加工用吸附装置实用新型授权CN202423106298.22024-12-17CN223566605U2025-11-18唐红梅、张晓勇、王毅43具有高续流能力的SIC MOSFET器件实用新型授权CN202423106302.52024-12-17CN223584622U2025-11-21王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅44一种晶圆加工定位切割装置实用新型授权CN202423106293.X2024-12-17CN223589763U2025-11-25唐红梅、张晓勇、王毅45一种肖特基二极管Ni势垒层正面金属去除方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411846769.52024-12-16CN119581321A2025-03-07苏朕、尹鑫德、王毅46码垛型铜框架料篮实用新型授权CN202423084013.X2024-12-13CN223421179U2025-10-10田宇尧、王帅、赵彬、禹辰晖、朱陶圆、王毅47一种回流焊自动下料生产线发明专利专利权质押登记、变更及注销、专利权质押登记、变更及注销、授权、实质审查的生效、公布CN202411839636.52024-12-13CN119542220B2025-10-10田宇尧、王帅、赵彬、禹辰晖、朱陶圆、王毅48料篮自动码垛装置实用新型授权CN202423084021.42024-12-13CN223421890U2025-10-10田宇尧、王帅、赵彬、禹辰晖、朱陶圆、王毅49一种晶圆加工用涂胶装置实用新型授权CN202423084010.62024-12-13CN223436191U2025-10-14唐红梅、张晓勇、王毅50铜框架夹装机械手实用新型授权CN202423084026.72024-12-13CN223477676U2025-10-28田宇尧、王帅、赵彬、禹辰晖、朱陶圆、王毅