IT之家 6 月 2 日消息,韩媒 Edaily 今天(6 月 2 日)发布博文,报道称在 2026 年台北国际电脑展上,三星展示了全球首款 HBM5 内存。
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IT之家注:HBM5 是面向未来高性能计算(HPC)和人工智能(AI)训练需求设计的第八代存储技术。
HBM5 预计在 2029 年至 2031 年间推出市场,采用更先进的制造工艺,预计使用 2nm 基础裸片搭配 1c nm DRAM。
散热方面,为了应对超高功耗,HBM5 将采用浸没式冷却技术 (Immersion Cooling),即直接将裸片和封装整体浸泡在冷却液中。
性能方面,行业预测 HBM5 将 I/O 通道提升至 4096-bit,以 16-Hi (16 层) 堆叠为标准,预期每个堆叠的带宽将提升至 4 TB/s。
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