美光股价暴涨八倍、市值超万亿美元：存储芯片不再论周期？

来源：21世纪经济报道

21世纪经济报道记者骆轶琪

美股万亿美元俱乐部再添新人。

美东时间5月26日，美光科技市值正式突破1万亿美元，当日公司股价大涨19.29%至895.880美元/股，创下历史新高。

回溯来看，美光科技的股价自2025年5月开启持续大幅上涨，其涨势甚至可以称为陡峭，这与此前美光科技相对平稳的股价走势截然相反。这个节点也基本与本轮存储芯片开启大涨的时间非常接近。

只是一年以来，美光科技股价暴涨超过8倍，这在此前任何一轮存储芯片上行周期中都未曾见过。其背后仅仅是因为新一轮存储周期的影响吗？

（美光科技股价走势）

定价逻辑突变

让资本市场对存储芯片巨头定价逻辑出现变化的根因，在于本次供不应求行情下，上游存储原厂与下游厂商的合作模式正逐渐发生改变。

倘若按照过往存储芯片市场趋势，通常2—3年将经历一轮行业周期轮转，每当需求旺盛但供应有限，将导致存储芯片价格上扬，但往往随着后续这些原厂加大市场供应，就会推动市场逐渐转向供过于求。

这是历年以来存储芯片周期的主要逻辑，也即“供不应求—扩产—供过于求—降价”，每逢降价周期，这些厂商就不得不面临大额亏损的压力。

但本轮行情的不同之处在于，AI大模型作为一个新兴成长性市场，其未来演变形态和应用场景都尚未明确，全球主流玩家（以云服务巨头谷歌、亚马逊、Meta为代表）为应对这种趋势，都在积极推动AI基础设施建设，且不惜成本，这导致短期内难以出现供需扭转的预期。

由此，这些云巨头也更愿意与存储原厂签订3—5年期长期协议（LTA）。不仅如此，有业内人士告诉21世纪经济报道记者，按照既往周期波动行情，以往原厂与手机厂商签订的协议多为1年为期，到期再根据手机厂商报出的下一年需求预测另行签约。但在目前看不到需求拐点的背景下，原厂已经有推动与手机厂商签订5年期LTA（长期协议）的底气。这样不仅可以保证对手机厂商的供应，同时在5年期的后半段，倘若市场供需环境出现变化，也能一定程度保证存储原厂的盈利能力。

而据瑞银集团（UBS）发布的研究，云巨头们与存储原厂签订的协议，基本占据了后者约60%~70%服务器DDR5产能，导致留给终端厂商们的产能空间并不大，因此即便终端厂商本身就面临增长瓶颈压力，也不会对存储巨头的业绩波动带来太大影响。

由此，该机构认为，当前存储芯片市场出现一种结构性紧俏行情，这与传统的周期性行业定价逻辑完全不同，尤其在这种长期协议加持下，美光科技将获得更长的盈利时间。这份研报为美光科技的股价上涨点燃了一把火。

不止于此，根据美光科技今年3月发布2026财年第二财季报告时披露的消息，公司正在与客户推进战略客户协议（SCA），该协议不同于LTA，包含多年期明确承诺，以提升业务模式的可见性与稳定性，目前已成功签署首份五年期战略客户协议。

实际上今年以来，已经有一种行业观点认为，存储芯片市场已经摆脱传统的周期波动逻辑，而正进入新的发展逻辑中。

CFM闪存市场总经理邰炜此前公开指出，人工智能的爆发式发展重构了数据生成逻辑，存储不再是数据生产链条中的被动“仓库”，而是支撑大模型迭代与推理的关键基础设施，推动存储半导体从周期性波动产品转变为数据经济的核心生产力。

他强调，“这不是周期反弹，是长周期的范式转移。”头部厂商达成共识：摒弃盲目扩产，聚焦高技术、高价值、高壁垒产品。这令行业供给格局从“规模优先”向“价值优先”转变。邰炜指出，2026年全球各类主流AI存储产品均无法实现供需完全平衡，AI存储短缺将成为长期常态。

供需仍在失衡

再看目前市场行情，虽然存储现货渠道市场一度出现渠道商高位出货的恐慌情绪，但真正占据市场主导的存储合约市场，整体供给紧俏、价格上行的局面并未被打破。

从SK海力士披露的单价表现来看，可以明显感受到存储芯片涨价的持续性和涨价幅度，这背后就支撑起当前卖方市场行情中存储巨头们的业绩和股价。

今年第一季度，SK海力士销售的DRAM单价（ASP）环比上涨约65%，NAND单价环比上涨75%。而在刚启动涨价的2025年第三季度，DRAM单价环比上涨约5%，NAND单价环比上涨约10%~15%；第四季度DRAM单价环比上涨约25%，NAND单价环比上涨30%~35%。

面对供不应求局面，存储巨头们并没有急于大幅扩产，有从业者对21世纪经济报道记者分析，正是因为此前三星、SK海力士和美光科技都在存储市场下行期“亏怕了”，所以对于本轮大行情，他们的态度略显谨慎。

对于美光科技来说，即便扩产，也更倾向于落地在美国本土并服务本土厂商。

当地时间5月22日，美光科技宣布，已在其位于弗吉尼亚州马纳萨斯的工厂正式启动1αDRAM生产，这是美国迄今为止最先进的内存技术，将用于生产DDR4及LPDDR4产品，预计将于今年底实现全面量产。

此举将令该基地DDR4晶圆供应量提升四倍。这类产品主要服务于汽车、国防、航空航天、工业、网络设备及医疗设备等拥有长生命周期需求的客户群体，其应用领域并未包含数据中心。

根据美光科技官方介绍，将1α制程引入弗吉尼亚州，实际上是为DDR4和LPDDR4建立了一条专用的本土生产线，从而避免与美光科技面向AI市场的尖端产品争夺晶圆产能。

一名存储行业资深从业者对21世纪经济报道记者分析，这是美光科技原本已经建好的成熟工艺生产工厂，按照目前产线设计，将优先用于补充相对应的旧制程存储芯片产品类型。同时，结合美光科技高管的表态来看，这些新增产能将主要服务于该公司“美国优先”策略。“因此我判断这次扩产动作对整体存储芯片市场应该说是‘远水救不了近火’。”

同时他告诉记者，预计2027年主流下游客户将转向采用LPDDR5X产品，尤以手机市场为代表，这意味着下游核心需求并不与美光科技此次扩产的产品契合。

第三方机构集邦咨询也指出，2026年美光科技旗下DDR4在其整体DRAM产出中的占比，将收敛至7%左右，并且将逐年减少。从整体DRAM产业角度观察，考虑到网通等需求仍然强劲，预计2026年DDR4将持续缺货，价格维持上行。

该机构还强调，美光科技此次扩产主要反映其内部产能配置调整，而非重启对消费性DDR4的供给。该工厂将主要专注于需求量相对较小、生命周期较长的产品。

从新增产能来看，根据第三方机构闪存市场4月发布的分析，仅有SK海力士位于韩国清州的M15X新工厂，是今年唯一能够释放全新DRAM产线产能的原厂，而其他原厂更多是基于原有DRAM工厂和产线，更新DRAM制程以此增加单位Bit产出。

该机构预计，今年全球DRAM Bit供应增长不足20%，而服务器DRAM Bit需求增长超过40%，服务器DRAM缺口显著。这驱动今年DRAM平均价格较去年翻三倍有余，但考虑到供应链环节的现金流压力以及DRAM利润丰厚，加上原厂DRAM制程迭代单位Bit产出有所增加，预计下半年DRAM涨幅会有所收敛。

同时，原厂重启对NAND的积极投资和新增产能，闪存市场指出，今年铠侠K2工厂及国产厂商NAND产能将持续释放，但受制于DRAM Cache短缺问题，预计今年服务器eSSD均价同样较去年出现近三倍的增幅，预计下半年价格涨幅也将逐季放缓。

美光科技市值破万亿美元背后，某种程度上意味着，在华尔街有一种共识：在AI技术趋势和供需失衡背景下，传统的存储芯片周期逻辑正在扭转。

但这种观点并不绝对，也有行业从业者认为，无论AI走势如何，本质上并未改变存储芯片的供需逻辑，只是时间被拉长而已。

“我更倾向于认为，这一轮存储行情是前所未有的结构性行情。”一名存储芯片公司高管对21世纪经济报道记者分析，本轮AI浪潮刺激出的是一个新生市场，在当前AI技术仍在演变的条件下，意味着行业繁荣期或许会持续相对以往周期更为长期的时间。

面对当前行情，连存储芯片行业本身都存在一定分歧，美光科技的股价走势到底是阶段性狂欢还是一次彻底逻辑逆转，恐怕更取决于AI市场的突破。