北京
芯东西（公众号：aichip001）
编译 刘煜
编辑 陈骏达
芯东西5月27日消息，昨日，SK海力士宣布推出iHBM解决方案。该方案把ICE（集成散热元件）内嵌于HBM（高带宽内存）封装内部，将应用于HBM5等新一代产品。SK海力士称，这款全新散热方案可使热阻降低30%，让芯片在高温、高负载工况下也能稳定运行。
ICE采用兼具电气绝缘性与高导热性的硅基材料打造。作为专用散热组件，它能够额外开辟一条散热通道，帮助疏导HBM封装产生的热量。
▲iHBM解决方案概念图（图源：SK海力士）
此外，据《韩国先驱报（The Korea Herald）》报道，市场研究机构Counterpoint Research预测，HBM5将于2029至2030年前后问世，届时行业还将全面转向混合键合技术。这种技术摒弃传统凸点结构，通过直接接合铜触点实现堆叠芯片互联。
目前，为承接爆发式增长的AI数据处理需求，HBM不断向高堆叠、高速度方向演进，热管理也随之成为核心技术挑战之一。SK海力士希望借助iHBM方案，满足高密度、高带宽场景下的散热要求，进一步提升高性能计算机（HPC）与AI数据中心的运行稳定性和工作效率。
在HBM高速迭代的过程中，作为连接HBM与GPU的核心硬件接口，D2D PHY承担着HBM基底裸片与AI加速器之间的高速数据传输任务。该区域的功率密度管控能力，决定着新一代HBM产品的市场竞争力。
所谓功率密度，即单位空间内产生的热量，这项参数同时左右着设备散热表现与服役年限。
SK海力士正通过iHBM方案，从结构层面攻克这类散热难题。
现有HBM产品采用的是间接散热方式，即通过核心裸片（core die）将热量导出。而iHBM解决方案则将ICE直接放置在热量最集中的D2D PHY区域，从而构建额外的散热路径。
成熟的量产能力亦是该方案的一大优势。SK海力士基于已在市场验证的MR-MUF技术打造的WLP（晶圆级封装）工艺，可支持搭载iHBM方案芯片的稳定大规模量产。
其中，MR-MUF属于半导体堆叠工艺，通过在芯片层间填充液态防护材料保护电路；而WLP可在晶圆切割前同步完成封装与测试，既可缩减芯片尺寸，也能优化电气性能。
此外，SK海力士称，iHBM方案与现有SiP（系统级封装）架构具备高度设计兼容性，客户只需少量调整设计，便可引入这款新型散热技术。作为主流封装方案之一，SiP能将不同芯片以垂直或水平方式排布，令各类芯片协同工作，形成完整的系统。
iHBM技术方案发布之际，存储市场需求已大幅超出SK海力士的产能供给。在上月举行的第一季度财报电话会议上，该公司称，未来三年客户的HBM订单需求已超出其现有产能。
不过，虽然SK海力士在高端HBM赛道稳居绝对优势，但全球存储行业竞争格局仍在持续变动。
《韩国先驱报》报道称，Counterpoint Research数据显示，2025年第四季度，三星电子在整体DRAM营收榜单中重回全球第一，结束了长达一年的第二位排名；同期SK海力士在HBM市场的份额为57%。
结语：iHBM迎来应用窗口期，技术与产能竞争仍将加剧
整体来看，iHBM技术通过结构创新优化了HBM的散热能力，同时依托成熟的封装工艺保障了量产与兼容性。该方案是一种结构性的改良路径，其实际效果仍有待HBM5等下一代产品量产后才能进一步验证。
从市场格局来看，去年第四季度，SK海力士在HBM细分领域仍保持57%的份额优势，而三星电子则在整体DRAM营收上重回全球第一，两大存储巨头各自在细分赛道巩固优势。
眼下，AI算力需求持续推高HBM市场热度，行业不仅在堆叠、速率上持续迭代，热管理、先进封装等配套技术也逐渐成为竞争重点。对于AI数据中心和高性能计算而言，散热、带宽、功耗之间的平衡也始终是工程层面研发中的关键课题。
现阶段HBM市场供需缺口显著，存储行业格局也处在动态变化之中，未来，各家厂商或将持续在技术研发与产能布局上展开竞争。
来源：SK海力士官网、《韩国先驱报（The Korea Herald）》
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