或比光纤还猛！AI算力功引爆碳化硅需求 这5家产能龙头底部起爆

兄弟们！AI又引爆一新材料的需求——碳化硅

没错！就是碳化硅

随着英伟达B200、Rubin系列以及各类ASIC芯片的算力指数级增长，单颗AI芯片的功耗已从传统的300-400W飙升至1000W以上。传统的54V/48V供电架构已因“铜损”过大和物理空间限制而难以为继。

2025年5月，英伟达更是宣布，数据中心正从当前的54V机架供电向800VHVDC高压直流架构过渡，目标是2027年实现该架构的规模化商用，以支撑1MW及以上超高功率密度IT机架的电力需求。

当前AI数据中心电源正在向800V高压直流HVDC架构演进，也是必然选择。而这材料转换的耐高温提出了更高的要求，碳化硅SiC和氮化镓GaN是实现这一高电压、高效率转换的物理基础。

SiC器件凭借极低的开关损耗和耐高压特性，能让服务器电源的转换效率突破钛金级96%以上，甚至向99%迈进，这不仅意味着省电，更意味着在相同市电容量下，可以多支撑50%的AI负载。

碳化硅不仅在AI数据中心大规模的应用，在先进封装领域也将引入碳化硅

2025年9月，英伟达表示，在新一代Rubin处理器的开发蓝图中，计划把CoWoS先进封装环节的中间基板材料，由硅换成碳化硅(SiC)，以应对高性能计算中的散热挑战。并且表示最晚到2027年，碳化硅中间基板将全面进入先进封装领域。

从市场规模开看，Citrini发布AI供应链报告，明确将SiC列为AI领域被严重忽略的核心主线。到2030年AI电源将占SiC电源市场的50%，衬底和设备需求有望增长近10倍。SiC在CoWoS先进封装中的应用规模将超过电源市场。当前百亿级市场，未来有望突破2000~3000亿。

因此，碳化硅在AI数据中心和CoWoS先进封装加速渗透下，需求端迎来爆发式增长，对具有碳化硅产业链来说，将有望在这波需求暴增背景下，增厚公司的业绩。

从产业链来看，碳化硅（SiC）是第三代半导体的核心赛道，主要由‌上游材料与设备‌、‌中游器件制造‌及‌下游应用市场‌三大环节构成。而碳化硅产业链技术壁垒高，价值量主要集中在上游材料环节，‌衬底和外延片合计占器件总成本的70% 左右‌，其中衬底 alone 占比约 47%-50%。

经过深度梳理和挖掘，这5家公司在碳化硅上游衬底环节深度卡位，享受这波AI浪潮带来的量价齐升。现在把这5家公司是核心亮点梳理出来供大家参考。

第一家：天岳先进

核心亮点：公司导电型碳化硅衬底材料全球市占率前三，全球少数能批量出货8英寸碳化硅衬底的公司，全球首家推出12英寸碳化硅衬底的公司

碳化硅产能：据日本富士经济报告测算，2024年全球导电型碳化硅衬底材料市场占有率全球第市场份额22.80%;2024年碳化硅衬底产量达41.02万片;国产半绝缘型衬底龙头。将充分受益于AI数据中心带来的碳化硅需求。

第二家：三安光电

核心亮点：公司是在内化合物半导体领域产销规模首位、具备垂直产业链布局的企业，LED芯片全球龙头。

碳化硅产能：公司6吋碳化硅产能1.6万片/月，8吋碳化硅衬底产能1000片/月、外延产能2000片/月，8吋碳化硅芯片产线已通线。安意法现有产能2000片/周，重庆三安现有产能2000片/月，已开始逐步释放产能。将充分受益于AI数据中心带来的碳化硅需求。

第三家：露笑科技

核心亮点：公司主营漆包线、高空作业设备、光伏发电等，已成功开发出12英寸碳化硅衬底。

碳化硅产能：公司已制备出合格12英寸碳化硅单晶样品，合肥基地规划扩产8英寸导电型与12英寸半绝缘型衬底，产品面向电动汽车、AI算力、光储等多轮需求。英寸衬底片已研发成功并预计2026年一二季度形成销售。将充分受益于AI数据中心带来的碳化硅需求。

第四家：天富能源

核心亮点：公司主营供电及天气热、供热等，拥有新疆兵团规模最大的独立地方电网。

碳化硅产能：天科合达导电型碳化硅单晶领域长期稳居国内第一;公司为天科合达第二大股东，持有9.09%的股份。将充分受益于AI数据中心带来的碳化硅需求。

第五家：晶盛机电

核心亮点：公司主营光伏设备、半导体设备和半导体材料，全自动单晶硅生长炉市占率国际领先，已构建8-12英寸半导体大硅片核心装备的全产业链布局

碳化硅产能：公司国内90万片拉晶产能，现有碳化硅衬底30万片(6寸25万片+8寸5万片)+新建8寸60万片;海外新建24万片切磨抛产能;12英寸光学级衬底的产业化验证。

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