昨天,芯片圈又被华为刷屏了。不是手机,不是系统,而是一个新词——韬(τ)定律。
很多人第一反应是:摩尔定律还没搞明白呢,怎么又来了个新的?别急,咱们用盖房子打个比方,一听就懂。
过去几十年,芯片界一直按摩尔定律的套路走:晶体管像平房一样铺在地上,想多塞点晶体管,就得把每个晶体管做小。从10nm缩到7nm,再缩到5nm、3nm,这叫“微缩工艺”。每缩小一步,同面积下晶体管密度就翻一倍,性能也往上翻。
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但这个玩法有个硬门槛:到了5nm以下,必须用EUV光刻机。而EUV光刻机,偏偏被卡了脖子。
华为这次提出的韬定律,换了个思路——不拼命缩小晶体管了,而是把平房改成楼房。晶体管可以往上堆叠,一层变两层,两层变三层。同样的7nm工艺,原来只能放100万个晶体管,现在叠两层就能放200万个,性能直接翻倍。
按照华为公布的数据,在固定制程下,这种“逻辑折叠”技术能让晶体管密度阶段性提升55%,能效提升41%。首款采用这项技术的,将是今年秋季发布的麒麟芯片。用等效7nm的成熟工艺,晶体管密度能达到238MTr/mm²——注意,这可是3nm才有的水平。
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更让人吃惊的是后面的数字:到2031年,用同样的7nm工艺,通过逻辑折叠,晶体管密度能做到400+MTr/mm²,主频跑到5.0GHz。换算一下,相当于现在的1.4nm甚至更高。
也就是说,在不使用EUV光刻机的前提下,这条路能一直走到等效1.4nm。
消息一出,很多人觉得EUV光刻机要凉了。毕竟美国这些年卡脖子,主要就是卡EUV。现在华为绕过去了,那卡住还有啥意义?
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但冷静下来想一想,事情没那么简单。这里藏着两个疑问。
第一个数字:散热。晶体管叠起来像盖高楼,楼越高,热量越难散。AMD以前搞过类似的3D堆叠技术,结果发热量大得离谱,CPU得配大风扇、水冷才能压住。手机芯片里可没有风扇,要是发热严重,性能再强也用不上。这个问题怎么解决,目前还没有明确的说法。
第二个数字:对手也能用。你想到的逻辑折叠,台积电、三星难道想不到吗?他们本来就有1.4nm的先进工艺,再叠上两层,那就不叫1.4nm了,直接奔着0.7nm、0.5nm去了。这样一来,差距不仅没缩小,反而可能拉得更大。
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所以,韬定律的出现,确实给国产芯片提供了一条不用EUV也能往前走的路,这是好事。但它不是万能药,散热问题、对手的同步升级问题,都是绕不开的坎。
先让子弹飞一会儿吧。今年秋天,第一颗用上这项技术的麒麟芯片就会亮相,到时候是骡子是马,拉出来遛遛就知道了。
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