中国 DRAM 决战时刻：长鑫科技上市，只是开始

文|恒心

来源|博望财经

中国半导体产业在资本市场蛰伏多年后，终于迎来了最具重量级的IDM（垂直整合制造）原厂闯关时刻。

2025年底，长鑫科技IPO申请正式获得上交所受理，保荐机构为中金公司和中信建投证券；2026年5月20日，上交所上市审核委员会发布公告，定于2026年5月27日召开2026年第27次审议会议审议其IPO申请。

这也使之成为上交所“预先审阅”制度推出后首单适用该机制的IPO项目。

长鑫科技自2016年在安徽合肥启动DRAM研发以来，历经近十年技术攻关，于2019年实现8Gb DDR4芯片量产，填补了中国大陆DRAM产业空白。此番携刷新纪录的季度盈利数据登陆科创板，既是企业自身从巨额亏损到单季净利超240亿元的惊险跃迁，也是观察中国存储芯片产业自主化进程的一个关键切面。

01

IDM突围：全球DRAM第四极的产业底色

动态随机存取存储器（DRAM）是全球半导体市场中集中度最高的细分领域之一。

根据Omdia数据，2025年全球DRAM市场仍由三星电子（约33.96%）、SK海力士（约34.48%）和美光科技（约23.41%）三家垄断，合计占有全球90%以上份额。长期以来，中国大陆企业在DRAM领域处于空白状态，核心供给完全依赖进口。

长鑫科技采用IDM模式——集芯片设计、晶圆制造、封装测试、产品销售于一体，是目前中国大陆唯一具备规模化DRAM设计与制造能力的IDM企业。按2025年第四季度DRAM销售额测算，其全球市场份额已升至约7.67%，排名全球第四、中国第一；按出货量与产能计算同样位居国内首位。

产品矩阵方面，长鑫科技已量产DDR4、DDR5服务器内存颗粒及模组，以及LPDDR4X、LPDDR5/5X移动端低功耗DRAM，部分产品参数逐步向国际一线厂商主流规格对齐。

目前长鑫科技在安徽合肥与北京亦庄共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂，是国内规模最大的DRAM制造基地。据招股书数据，2023—2025年其产能利用率分别约为87%、92%、96%，呈逐年攀升态势。

值得注意的是，与多数国产半导体企业聚焦于Fabless（无晶圆厂）设计或封测环节不同，长鑫科技的重资产IDM属性决定了其资本开支规模巨大，此次IPO募资中将有相当比例继续投入到晶圆制造产线技改与新工艺升级。

长鑫科技的股权结构中，合肥国资系占据主导地位。

第一大股东合肥清辉集电持股约21.67%，第二大股东长鑫集成持股约11.71%，二者均为合肥国资旗下投资平台。此外，国家集成电路产业投资基金（大基金）一二期及若干国家级/地方级产业基金亦位列股东名册。

这使得长鑫科技的成长路径成为“合肥芯屏汽合”产业战略的标杆案例——政府产业引导资金早期介入、培育出具备全球竞争力的硬科技企业，再通过资本市场实现退路与再融资闭环。

02

从巨亏到日赚近三亿：财务反转的逻辑与隐忧

长鑫科技财务数据剧烈摆动。

据招股书披露，2023—2025年其营业收入分别为90.87亿元、241.78亿元、617.99亿元，归母净利润分别为-163.40亿元、-71.45亿元和18.75亿元。

仅2026年第一季度，长鑫科技便录得营业收入508亿元（同比增长719%），归母净利润247.62亿元（同比激增1688%），扣非归母净利润263.41亿元。以此测算，长鑫科技一季度日赚约2.75亿元。长鑫科技预计2026年上半年营业收入可达1100～1200亿元，归母净利润500～570亿元。

截至2025年末，长鑫科技累计未弥补亏损为366.5亿元；而2026年上半年的预计盈利规模已填平该历史亏空。

长鑫科技2025年扭亏及2026年业绩爆增归因于三方面：

其一是行业周期上行：2022年下半年至2023上半年DRAM行业经历深度去库存与价格暴跌；2023下半年起逐步回暖，2025年下半年以来受AI服务器拉货、海外大厂产能向HBM及先进节点倾斜影响，通用DRAM供应偏紧，现货与合约价持续上涨。2024年、2025年主要DRAM产品销售单价同比分别上涨约55.08%和33.69%。

产销规模释放：合肥与北京晶圆厂产能利用率提升至96%，良率爬坡完成，DDR5与LPDDR5X等高附加值产品占比显著提高，带动毛利率由负转正并快速扩张。

客户导入深化：招股书披露长鑫科技已进入阿里巴巴、腾讯等头部企业供应链，国产服务器与消费电子品牌采购占比持续提升。

但仍需警惕周期性风险。

存储芯片是半导体中最典型的周期品。历史上三星、SK海力士、美光均经历过数年巨亏与暴赚的交替。长鑫科技在招股书中坦承，“公司DRAM产品销售单价在行业周期带动下波动较大……若未来行业再次出现供给过剩或需求疲软，公司可能再次面临业绩大幅下滑甚至阶段性亏损的风险。”

此外，长鑫科技2023—2025年三年累计研发投入占营收比例约21.67%，绝对值可观，但仍显著低于三星、SK海力士等对手的研发投入水平，在EUV光刻导入、10nm以下制程微缩及HBM3e/4等前沿领域仍存在技术代际追赶压力。

03

295亿募资投向与市场意涵：钱花在哪，带来什么

长鑫科技此次预计募集资金295亿元（投资总额约345亿元），具体投向存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目75亿元、DRAM存储器技术升级项目130亿元以及动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目90亿元。

上述项目建成后，为进一步缩小其与全球前三家的产能和技术差距提供支撑，但“公司产能规模仍远低于国内庞大市场需求，与三星、SK海力士、美光相比在绝对产能与最先进节点上仍有差距”。

长鑫科技若成功发行，将创下数项纪录：科创板开板以来募资额前列的半导体IPO、A股首只真正意义上的DRAM IDM原厂标的、上交所“预先审阅”机制首单过会企业。

对A股而言，此前“国产存储”概念多停留在模组厂（如江波龙、佰维存储）、分销与封测环节，缺乏掌握核心晶圆制造能力的原厂标的。长鑫科技上市有望推动半导体存储板块从题材驱动向基本面定价迁移，其招股书披露的上游设备、材料供应商名录也可能引发市场对“含鑫量”供应链的重新定价。

从产业安全视角看，HBM产线的前瞻布局呼应了AI算力国产化中“卡脖子”隐患最突出的高带宽内存缺口——目前国内AI训练服务器所使用的HBM几乎100%依赖进口，长鑫科技的技术进阶若如期推进，将是国产算力全栈自主链条的重要拼图。

市场传闻长鑫科技上市前最近一轮融资隐含估值已达数千亿元量级，部分机构预期IPO后市值可能挑战万亿门槛。但需理性看到：

DRAM行业强周期性意味着PE估值法在谷底与峰值差异极大，机构投资者更可能参考重置成本与周期平均ROE来锚定长期价值；

国际地缘政治对设备获取与出口管制的潜在影响，仍是外资与部分内资机构对重资产IDM标的给予一定折价的原因；

295亿元募资规模在科创板历史上属超大额IPO，发行阶段对市场资金面存在短期虹吸效应，需关注发行定价博弈。

结论

长鑫科技冲刺科创板，是中国半导体自主化叙事从“能不能做出来”迈向“能不能持续赚钱、持续迭代”的标志性节点。

用近十年时间完成了DRAM从0到1的量产突破，又赶上此轮AI驱动的超级上行周期，交出了单季数百亿利润的成绩单。

但存储行业的残酷在于——周期从不缺席，只延期到场。

真正的考验将在下一轮下行期到来时：那时候，长鑫科技能否凭借已建成的IDM底座、持续加大的研发投入，以及资本市场的再融资能力，在价格波动中保持技术追赶的定力而不被拖回亏损深渊？

这个问题的答案，不会写在招股书里，而将写在未来每一份定期报告的逐季数据之中。

对于投资者与产业观察者而言，与其执着于短期“妖股”叙事，不如把长鑫科技的IPO当作一个观察窗口——看中国制造如何在最卷、最险、最资本密集的赛道上，学着和国际巨头打一场持久战。