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D2002UK 是Semelab(现隶属于 TT Electronics) 推出的一款 N 沟道射频功率 MOSFET(DMOS)，主要用于 射频功率放大与发射应用，适合中低功率、宽频段的 RF 设计需求。
主要参数概览
基本信息
器件类型：射频功率 MOSFET
极性：N-Channel(增强型)
品牌 / 厂商：Semelab / TT Electronics
型号：D2002UK
封装形式：DP 陶瓷法兰封装
安装方式：螺钉固定，表贴/法兰安装
电气特性(典型值)
漏极-源极击穿电压(VDS)：约 65 V
连续漏极电流(ID)：约 2 A
最大栅源电压(VGS)：±20 V
栅极阈值电压(VGS(th))：约 1 – 7 V
射频输出功率：约 5 W(连续波 CW)
功率增益：约 13 dB
工作频率范围：DC ～ 1 GHz
最大功耗：约 29 W
热学与机械特性
结到壳热阻(RθJC)：约 6 °C/W
工作温度：最高可达约 150 °C(壳温)
典型尺寸：约 18.9 × 6.35 × 5.08 mm
典型应用
D2002UK 广泛应用于中低功率射频场景，包括但不限于：
VHF / UHF 射频功率放大器
无线通信发射模块
工业射频设备
测试与仪表类 RF 放大单元
产品特点总结
覆盖 DC–1GHz 的宽频工作能力
5W 级射频输出功率，适合驱动级或小功率末级
陶瓷法兰封装，散热性能好、可靠性高
适合通信、工业及专业射频应用
Semelab公司是一家专注于高可靠性半导体器件的制造商，提供功率半导体、RF MOSFET等产品，深圳市立维创展科技有限公司优势提供Semelab产品线，欢迎咨询了解。
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