北京
国家知识产权局信息显示，安徽长飞先进半导体股份有限公司申请一项名为“半导体结构的制备方法及半导体场效应晶体管”的专利，公开号CN122054623A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本申请公开了一种半导体结构的制备方法及半导体场效应晶体管，属于半导体技术领域。制备方法包括：在基底上形成图案化的阻挡层，阻挡层具有暴露部分基底的窗口；通过窗口进行第一离子注入，形成第一掺杂区；在第一掺杂区上形成第一掩膜结构，第一部与第二部间隔开布置；基于第一掩模结构，沿对称的第一方向和第二方向依次向第一掺杂区注入第二离子，形成第二掺杂区，第二掺杂区部分位于第一部下方，第一方向和第二方向均与阻挡层远离基底一侧的表面呈第一夹角，第二掺杂区的掺杂类型与第一掺杂区相反；向第二掺杂区注入第三离子，形成第三掺杂区，第三掺杂区的掺杂类型与第二掺杂区相同，且第三离子的浓度高于第二离子，提高器件的短路耐受时间。
天眼查资料显示，安徽长飞先进半导体股份有限公司，成立于2018年，位于芜湖市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本33997.7041万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽长飞先进半导体股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目31次，财产线索方面有商标信息78条，专利信息242条，此外企业还拥有行政许可14个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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