股价去年来最高涨超10倍，9000亿美元存储巨头或将诞生

记者丨杨坪 刘雪莹

编辑丨郑世凤 曾静娇 骆一帆

2026年5月11日，美国存储芯片巨头美光科技（Nasdaq: MU）股价继前一日大涨15.49%后，再度飙涨6.50%，收报795.33美元，连续第七个交易日创下历史新高，市值逼近9000亿美元（约合人民币6.1万亿元）。

5月12日美股盘前，美股三大股指期货全线下跌，存储股集体回调。截至20:30，美光科技、闪迪盘前跌约3%。

日前，德意志银行将美光科技的目标价上调至1000美元，与华尔街的最高预期持平，同时维持对该股的“买入”评级。D.A. Davidson则在4月末率先提出1000美元目标价。

2026年以来，美光股票已累计上涨178.66%，远超标普500指数的8.29%涨幅。但这并非孤例。昨日，韩股SK海力士盘中飙涨11.5%，盘中市值一度突破9000亿美元；三星电子同步涨超5.96%，同样创下历史新高。

A股存储芯片板块同样全面爆发，国证存储芯片指数年内强势上涨29.12%，澜起科技、海光信息、佰维存储等纷纷大涨。

如果以2025年以来的最大涨幅（指统计区间内自最低价起算的最大涨幅）来看，闪迪、美光科技区间最大涨幅均超过10倍，A股公司德明利最大涨幅高达997.74%。

这轮股价暴涨，已无法用传统的存储周期叙事来解释。它背后是一个正在发生的产业结构性转折：AI正在从根本上改变存储芯片的产业逻辑、资源配置规则和资本定价框架。

“在十五年一遇的供需缺口、AI驱动的需求重构与寡头供给弹性的三重因素影响下，存储芯片正从一个高度周期化的大宗商品赛道，转向AI基础设施核心资产的结构性成长叙事。而美光股价暴涨，只是这一产业结构性重估的提前反映。”华南一位存储行业资深分析师受访时表示。

七年供需矛盾集中爆发

美光股价暴涨的底层支撑，是一组令全球半导体从业者为之侧目的数据。

综合高盛等机构报告，2026年全球DRAM供需缺口达4.9%，NAND Flash缺口为4.2%，AI核心配件HBM缺口更高达5.1%——这组数字均为2011年以来的最高水平。

在今年2月的研报中，高盛将其定性为“过去15年来最严重的存储芯片供应短缺”。如果将视角放大，瑞银更将此轮周期定义为“近三十年一遇”的存储超级周期。

宏大叙事中的缺口数据往往显得抽象，但对身处其中的每一位参与者，这意味着一个现实：存储芯片不再是“想买就能买到”的通用商品。

先看供给端。三大存储巨头三星、SK海力士、美光2026年的全部产能已提前售罄。

SK海力士最新财报直言，库存仅剩约4周，产品“产出后立即发货，几乎没有库存积累空间”。2026年全年HBM产能早在2025年底就被英伟达、AMD等客户抢购一空，一季一签，供不应求。

4月底，三星存储器业务负责人金在俊表示，焦虑的客户已经开始预订2027年的产品，而公司供货能力已降至历史最低水平，“预计2027年的供应缺口将比2026年进一步扩大”。

美光高管也在2026年3月的财报电话会上进一步透露，核心客户的需求满足率仅为50%至66.67%——“即使用户愿意支付高价，也无法买到足够的产能”。

这些数据共同指向一个结论：存储行业的卖方市场格局已经确立，且短期内难以扭转。

再看需求端。一场由AI大模型引爆的算力基建狂潮，正在以前所未有的速度消耗存储产能。群智咨询预测，2026年全球AI服务器出货量约370万台，同比增长51.3%；全球DRAM总出货容量中，AI服务器的需求占比将突破40%。

花旗集团报告也显示，2026年全球66%的DRAM产能已被AI服务器独占。而美光首席商务官萨达纳曾表示，一台标准AI服务器对DRAM的需求是普通服务器的8倍，对NAND的需求是3倍——数据的倍数关系解释了缺口量级的来源。

供需两端合力，价格自然失去锚点。国家发改委价格监测中心数据显示，截至2026年1月，DRAM和NAND闪存价格均创下2016年有统计数据以来的最高值。

进入2026年，存储产品价格涨势不减。TrendForce预测二季度一般型DRAM合约价将环比上涨58%至63%，NAND闪存合约价环比上涨70%至75%。美光自身的数据也能印证：其第二财季DRAM价格环比上涨约65%，NAND价格环比涨幅高达75%至79%。

这种罕见的供需错配，从多重维度上打破了传统周期律。

前述分析师认为，过去存储行业的价格波动大多遵循“供需均衡—缺货涨价—产能扩张—产能过剩—价格暴跌”的闭环，节奏平缓、周期规律清晰。但这次，供给端产能扩张被技术瓶颈和长达四年的晶圆厂建设周期锁死，需求端又被AI算力基建的指数级需求持续加码，“传统周期的两端都失灵了”。

AI改写存储产业游戏规则

过去三十年，存储行业经历了无数次供过于求与供不应求的转换，“周期论”几成铁律，为何本轮会不同？

D.A. Davidson董事总经理Gil Luria提供了一个关键的分析切入角度。他在启动覆盖美光的买入评级时直言，许多投资人“仍停留在内存属于景气循环产业的旧观念”，因此“低估了AI时代下内存产业的新范式”。

Luria指出，随着AI模型规模愈来愈大，为支持更长的上下文窗口，也就是一次能处理更多数据量，市场对内存的需求正快速增加。

德银分析师Melissa Weathers在与美光管理层会面后得出类似判断——人工智能正在从根本上改变内存行业的周期性规律。从技术层面而言，内存的价值从未像现在这样高，内存层级体系的各个层面均已成为提升AI处理器性能和优化模型输出的关键支撑。对AI输出的需求正以惊人的速度持续增长，而每次推理成本的下降，进一步激励了从核心端到边缘端的应用扩展。

美光CEO桑杰·梅赫罗特拉则在财报电话会上直言，2026年AI将推动数据中心DRAM/NAND位元总潜在市场的需求占比首次突破行业总需求的50%。

值得一提的是，业内也有审慎声音。

首当其冲的是集中于估值的快速拉升与业绩承接能力之间的脱节风险。美光股价年初迄今上涨178.66%，即使以近一年维度计算，涨幅亦达到近600%。在标准化基础上，一些模型显示美光的预期市盈率已高达48倍，远高于半导体行业的平均水平。

其次，产能扩张的长期节奏与短期利润最大化可能存在潜在冲突。

美光高管明确表示，2027财年资本支出将“大幅增加”，与建筑相关的成本增加将超过100亿美元。美光在美国爱达荷州和纽约州建设的制造厂预计分别于2027年中期及2028年下半年进入投产阶段，新加坡NAND晶圆厂预计2028年量产。

有行业人士认为，这些新增产能集中释放的时间窗口（2027—2028年），恰好与市场对超级周期持续性的预测终点相重合，一旦新增产能投产与需求增速放缓形成时间上的重叠，供需拐点可能提前到来。

LS证券分析师Jung Woo-sung也在5月11日的报告中提出了一个关键警示：存储芯片价格继续上涨，将同时发挥“正面催化剂”和“风险因素”的双重作用，可能导致整机厂商的BOM成本增加、大型科技公司折旧费用上升、中国存储国产化加速以及可能出现的2027年供需调整。

与此同时，前述分析师也指出，当前存储市场的火热，主要依托于少数科技巨头的AI投资行为，谷歌、亚马逊、微软与Meta四家已将2026年AI相关资本支出总额上调至7250亿美元，较2025年创下的纪录飙升77%，“一旦这些科技巨头的资本开支节奏生变，存储芯片市场随时可能面临需求侧的剧烈波动。”

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出品丨21财经客户端 21世纪经济报道

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