中微公司取得气源供给系统相关专利，“多箱体”结构设压力差防气体泄漏提安全

来源：新浪证券-红岸工作室

5月10日消息，国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“一种气源供给系统及化学气相沉积设备”的专利，授权公告号CN118726944B，授权公告日为2026年5月8日。申请公布号为CN118726944A，申请号为CN202310323441.4，申请公布日期为2026年5月8日，申请日期为2023年3月29日，发明人杨闰清、韩子迦、许灿，专利代理机构上海元好知识产权代理有限公司，专利代理师贾艺璇、贾慧琴，分类号C23C16/448、C23C16/44、C23C16/52。

专利摘要显示，本发明公开了一种气源供给系统及化学气相沉积设备，防止气体泄漏的气源供给系统包括反应物存储装置、第一箱体、第二箱体和反应物输出管道；所述反应物存储装置套设于所述第一箱体内，所述第一箱体内的压力为正压；所述第一箱体套设于所述第二箱体内，所述第二箱体内的压力为负压；所述反应物输出管道的一端与所述反应物存储装置连通，所述反应物输出管道的另一端作为所述气源供给系统的输出端。本发明的气源供给系统采用“多箱体”结构，通过设置内外压力差，能够有效防止气体泄漏，提升操作和环境安全性。

天眼查数据显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司成立日期2004年5月31日，法定代表人尹志尧，所属行业为专用设备制造业，企业规模为大型，注册资本62614.5307万人民币，实缴资本62691.781万人民币，注册地址为上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号。中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了29家企业，参与招投标项目82次，财产线索方面有商标信息112条，专利信息1672条，拥有行政许可88个。

中微半导体设备（上海）股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1一种射频功率供应系统发明专利实质审查的生效、公布CN202511924458.02025-12-18CN121879506A2026-04-17倪图强、李博睿、刘依、肖尧、黄阳、邱文杰2一种工艺顶盖及气相沉积设备实用新型授权CN202521979639.92025-09-15CN223458392U2025-10-21刘从灵、谢振南、郑振宇、柴浩瑞、姜勇、郭世平3气体喷淋头外观专利授权CN202530466397.22025-08-07CN309910861S2026-04-10孟可、周艳、李开元4气体喷淋头外观专利授权CN202530466450.92025-08-07CN309910862S2026-04-10朱永成5气体喷淋头外观专利授权CN202530466394.92025-08-07CN309910860S2026-04-10周艳、李开元6反应腔、高深宽比结构及其形成方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510550377.22025-04-28CN120072612B2025-07-25尹志尧、徐伟娜、张一川、张凯、丛海、刘志强7基片托盘外观专利授权CN202530230568.12025-04-25CN309730273S2026-01-09陈耀、王家毅、陶章峰、陆顺开8基片托盘外观专利授权CN202530230569.62025-04-25CN309730274S2026-01-09陈耀、王家毅、陶章峰、陆顺开9一种气相沉积设备及半导体处理系统发明专利公布CN202510444720.52025-04-09CN120830094A2025-10-24尹志尧、倪图强、丛海、请求不公布姓名、杨宽、张海龙、朱荣帅10一种升降驱动组件和半导体工艺设备实用新型授权CN202520618963.12025-04-02CN224020732U2026-03-20李琳、王许、朱永成、周艳11下电极组件及等离子体处理设备实用新型授权CN202520539349.62025-03-25CN224123342U2026-04-14田宁、叶如彬、范光伟12一种掩膜结构形成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510293724.82025-03-12CN121496378A2026-02-10罗彬、赖锋源、张海龙、尹志尧、丛海13掩膜结构及其形成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510293826.X2025-03-12CN121496322A2026-02-10罗彬、赖锋源、刘健钢、尹志尧、丛海14一种掩膜结构及其制备方法、半导体设备发明专利实质审查的生效、公布CN202510293764.22025-03-12CN121496321A2026-02-10尹志尧、丛海、罗彬、赖锋源、张海龙15一种环组件及成膜装置实用新型授权CN202520251908.32025-02-17CN223780392U2026-01-09郭世平、姜勇、郑振宇、丁伟16一种边缘环组件、下电极组件、等离子体处理装置和制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510165658.62025-02-14CN119673741B2025-05-30叶如彬、范光伟、田宁、吕翌晟17一种阻抗匹配器、射频组件与等离子体处理设备实用新型授权CN202520210442.22025-02-10CN222637222U2025-03-18卢明、李博睿、倪图强18一种半导体加工设备及其控制方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510147729.X2025-02-10CN119601451B2025-05-09李博睿、卢明、倪图强19一种化学气相沉积装置实用新型授权CN202520172387.22025-01-24CN223780352U2026-01-09杜冰洁、路今、姜银鑫20一种基座及化学气相沉积设备实用新型授权CN202520166280.72025-01-23CN224001504U2026-03-17梁轩、徐立、吕术亮21一种下电极组件、等离子体处理设备及其电压控制方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202510098695.X2025-01-21CN119517722B2025-05-13田宁、叶如彬22一种隔离结构及化学气相沉积装置实用新型授权CN202520123428.92025-01-17CN223780362U2026-01-09黄稳、李勇志、姜勇、陆顺开23缓冲装置实用新型授权CN202520107111.62025-01-16CN223780359U2026-01-09杨闰清、徐灿阳、陈冬、许灿、何伟业24一种化学气相沉积装置发明专利授权CN202510073813.12025-01-16CN119932527B2026-04-10张辉、姜银鑫、姜勇25一种化学气相沉积装置实用新型授权CN202520086318.X2025-01-14CN223780351U2026-01-09陆顺开、周子琛、张辉26一种气体流量控制阀、气体输送装置及气体供应方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411976013.22024-12-31CN119374033A2025-01-28徐志鹏、倪图强、连增迪27化学气相沉积设备实用新型授权CN202423319091.32024-12-31CN223780363U2026-01-09朱泉松、庄宇峰、吕术亮、李远28一种晶圆承载组件及半导体处理设备实用新型授权CN202423320135.42024-12-31CN223899675U2026-02-10陈星棋29一种用于气柜可燃性测试的系统及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411980652.62024-12-30CN119375415A2025-01-28王治平、宋飘、宋常征、权汉钊30一种射频发生器、半导体处理设备及使用方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411969617.42024-12-30CN119382671B2025-09-12徐志鹏、常健、王亚军31一种半导体工艺平台实用新型授权CN202423296470.52024-12-30CN223660196U2025-12-12陶珩、何伟业、许灿、王能语、杨闰清、吴红星、廖腊财、桑成松、刘学滨、陈冬、刘青、刘雯伊32一种半导体处理设备及其固态前驱体输送系统和输送方法发明专利授权、实质审查的生效、实质审查的生效、公布CN202411947571.62024-12-26CN119372628B2025-03-18庄宇峰、朱泉松、李远、孙家鑫33一种用于半导体处理设备的气体输送装置和气体通路模块实用新型授权CN202423230256.X2024-12-25CN223524974U2025-11-07姜学斌、彭建录、梁冬冬、周楚秦、张嘉赫34晶圆托盘外观专利授权CN202430820667.02024-12-24CN309541504S2025-10-14汪国元、代宇通、姜勇35晶圆托盘外观专利授权CN202430817296.02024-12-23CN309541503S2025-10-14汪国元、代宇通、姜勇36一种半导体设备实用新型授权CN202423192168.52024-12-23CN224022201U2026-03-20胡甘成、黄稳、汪国元、郑振宇、姜勇37一种沉积金属氮化物的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411897577.72024-12-20CN120193249A2025-06-24沈成绪、许灿、高烨、陈宇畅、刘鹏杰、杨闰清38气体喷淋头、喷淋头组件以及化学气相沉积装置实用新型授权CN202423152151.72024-12-19CN223780356U2026-01-09陈佳波、徐立、吴红星、吕术亮、李雪子39等离子体处理设备实用新型授权CN202423135658.12024-12-18CN223665407U2025-12-12王许、朱永成、李琳、王智昊40机械臂及半导体设备零件的洁净度原位检测系统实用新型授权CN202423135638.42024-12-18CN223657031U2025-12-12孙祥、刘若晨41一种半导体处理设备及其多区加热板和多区温控驱动方法发明专利授权CN202411825844.X2024-12-11CN119835809B2026-03-17张辉、姜银鑫、杜冰洁42一种气路加热模组实用新型授权CN202422993593.82024-12-04CN223528230U2025-11-07毛绪光、吴红星、李远43一种真空平台实用新型授权CN202422993652.12024-12-04CN223535207U2025-11-11刘雯伊、王能语、刘学滨44锁扣组件和反应腔实用新型授权CN202422980570.32024-12-03CN223535206U2025-11-11黄稳、姜勇45流量校准仪外观专利授权CN202430745159.02024-11-25CN309427817S2025-08-08段国安、连增迪、钟水苗、徐扬、倪图强46等离子体处理装置发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411668534.12024-11-20CN119170474B2025-02-14张一川、田宁、叶如彬47下电极组件及等离子体处理设备发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411660380.12024-11-19CN119170554B2025-07-08田宁、叶如彬48半导体处理设备及其直流电压信号控制系统发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411629639.62024-11-14CN119182310B2025-09-16倪图强、卢明、李博睿49一种集成式匹配器系统及半导体处理装置实用新型授权CN202422709197.82024-11-06CN223527122U2025-11-07范宏宇、李宝琛50防止下电极组件发生电弧放电的方法及等离子体处理设备发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411561997.82024-11-04CN119069332B2025-03-04田宁、叶如彬、刘志强

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