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据报道,全球最大的代工企业台积电有可能将在美国的投资规模扩大到2500亿美元左右。这一数字远远超过了其原有的投资计划。预计,以亚利桑那州为中心的大规模半导体生产基地建设将会正式启动。
据中国台湾媒体和韩联社报道,台积电发言人最近在美国马里兰州举行的招商引资活动“Select USA”上表示,有可能进一步增加对美国的投资。台积电发言人在回答相关问题时说:“为了抓住新的商业机会,我们已经做好了充分准备。”
当地消息人士认为,这表明台积电有意在美国加大投资力度。有分析指出,投资规模可能高达2500亿美元,而且很有可能在亚利桑那州的凤凰城建立起与中国台湾新竹科学园类似的半导体产业生态系统。
供应链的迁移步伐也在加快。据报道,继工厂建设和洁净室相关企业之后,捷德、中环等半导体设备制造商也在美国设立了子公司,纷纷跟进美国的步伐。
台积电已经逐步公布了其在美投资扩大的计划。去年,它宣布将在原有1000亿美元的投资基础上,进一步将总投资额提高到1650亿美元。同时,台积电还计划在美国内建设6家晶圆厂、2家先进封装工厂以及1个研发中心。
在亚利桑那州建设的这两座先进封装工厂预计分别于2028年和2029年至2030年间开始投入量产。如果这项投资计划能够实现,那么美国境内就将形成一个集生产、封装和研发于一体的综合性半导体产业基地。
也有迹象表明,公司正在进行治理结构的调整。据其他消息来源透露,台积电计划在下月6日召开的股东大会上讨论一项章程修正案,即将董事会成员人数从目前的7到10人增加到9到12人。此举是为了应对不断变化的全球商业环境,以便能够更灵活地聘请具有专业能力的董事来协助公司发展。
据台媒《经济日报》今日报道,台积电 (TSMC) 已启动其位于中部科学工业园区的 Fab15A 晶圆厂升级计划。该厂当前的主要工艺为 28/22nm 成熟制程,初步将升级至 4nm,以满足 AI / HPC 芯片的持续需求。
Fab15A 现有的成熟制程设备预计将迁移至台积电与欧洲合作伙伴共同建设的 ESMC 德国德累斯顿晶圆厂。ESMC 的主要工艺就包括 28/22nm 平面 CMOS(以及 16/12nm FinFET),计划 2027 年开始初步生产。
从 28/22nm 升级到 4nm 不仅要更换设备也需对无尘室进行调整改造。业内人士预计 Fab15A 工艺升级总共开支将超过 1000 亿新台币。
有人指出,台积电对美国的投资增加会削弱被视为中国台湾核心战略资产的“硅岛”优势,而且台积电实际上可能会变成一家“美国企业”。
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