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一、光刻掩模的定义
极紫外（EUV）光刻掩模对于创建最先进的处理器和存储芯片所需的高分辨率功能至关重要。与允许光穿过的传统光掩模不同，EUV掩模是反射性的，因为EUV光被大多数材料吸收，不能穿过传统掩模。在这些EUV掩模中，吸收光的区域被设计成具有特定的高度变化，这是实现在极紫外范围内典型的短波长下所需的精确光学性能的关键。
二、Sensofar光学轮廓仪测量优势
亚纳米级纵向分辨率，精准捕捉3D形貌细节
使用50倍干涉镜头测量光刻掩模的三维轮廓图
镜头单视野扫描时间为2s
Sensofar采用白光干涉测量原理，通过分析反射光干涉条纹的相位变化，实现对EUV掩模表面结构的纳米级重建。其纵向分辨率达0.01nm，可精确量化吸收层台阶高度、多层膜微凸起等关键形貌参数，确保掩模光学性能符合长的衍射要求。
高效扫描与自适应光学系统
SensoPRO软件可以测量几百纳米的高度且自动分析
50倍干涉物镜单视野扫描时间仅需2秒，支持快速全表面覆盖；自适应光源与自动对焦技术：可动态优化光强与焦点位置。
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