国家知识产权局信息显示,江苏东晨电子科技有限公司申请一项名为“一种提高方片电压以及性能的SIPOS工艺”的专利,公开号CN121985741A,申请日期为2025年12月。
专利摘要显示,本发明涉及半导体制造技术领域,尤其是涉及一种提高方片电压以及性能的SIPOS工艺,其包括依次淀积第一掺氧多晶硅层、多晶硅层、第二掺氧多晶硅层、二氧化硅层及氮化硅层;本发明通过五层复合钝化结构优化电场分布,有效抑制边缘电场集中,消除“双线”击穿现象,提升击穿电压一致性与高温可靠性。
天眼查资料显示,江苏东晨电子科技有限公司,成立于2009年,位于无锡市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3000万人民币。通过天眼查大数据分析,江苏东晨电子科技有限公司共对外投资了6家企业,参与招投标项目18次,财产线索方面有商标信息4条,专利信息57条,此外企业还拥有行政许可21个。
声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。
本文源自:市场资讯
作者:情报员
特别声明:以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布,本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.