北京
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国家知识产权局信息显示，江苏东晨电子科技有限公司申请一项名为“一种提高方片电压以及性能的SIPOS工艺”的专利，公开号CN121985741A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体制造技术领域，尤其是涉及一种提高方片电压以及性能的SIPOS工艺，其包括依次淀积第一掺氧多晶硅层、多晶硅层、第二掺氧多晶硅层、二氧化硅层及氮化硅层；本发明通过五层复合钝化结构优化电场分布，有效抑制边缘电场集中，消除“双线”击穿现象，提升击穿电压一致性与高温可靠性。
天眼查资料显示，江苏东晨电子科技有限公司，成立于2009年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3000万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏东晨电子科技有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目18次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息57条，此外企业还拥有行政许可21个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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