北京
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国家知识产权局信息显示，华南理工大学;粤芯半导体技术股份有限公司申请一项名为“一种半导体器件制备方法及半导体器件”的专利，公开号CN121969158A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，本申请提供了一种半导体器件制备方法及半导体器件，涉及半导体制造技术领域，该方法包括：在晶圆标记区域内，在P型衬底上生成N型注入区，在N型注入区表面形成接触孔，N型注入区与P型衬底构成PN结二极管；在N型注入区表面生成第一层金属层；按芯片金属层数量在第一层金属层上依次形成多层金属网格结构的金属层，相邻金属层通过通孔电性互连；在最外层金属层表面生成钝化层，获得半导体器件；其中，金属层、接触孔与N型注入区共同构成天线结构，并通过PN结二极管安全接地。通过采用上述半导体器件制备方法及半导体器件，解决了在晶圆标记区域制程中，电荷易积聚并产生破坏性电弧的问题，实现了电荷的低阻泄放，有效预防电弧损伤。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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