证券之星消息,根据天眼查APP数据显示晶合集成(688249)新获得一项发明专利授权,专利名为“一种半导体器件中西格玛沟槽的制作方法”,专利申请号为CN202610005557.7,授权日为2026年4月28日。
专利摘要:本发明属于半导体技术领域,公开一种半导体器件中西格玛沟槽的制作方法,包括:提供一衬底,衬底包括第一器件区和第二器件区;第一器件区的第一有源区上形成有PMOS区栅极和PMOS栅极掩膜层;使PMOS栅极掩膜层的顶部暴露在第一器件区形光刻胶层外部;在第二器件区顶部以及PMOS栅极掩膜层顶部沉积一层沉积氧化硅层;去除第一器件区的光刻胶层;刻蚀去除第一有源区表面自然氧化硅层,进而蚀刻第一有源区的硅,在第一器件区的半导体衬底中形成U型沟槽;对U型沟槽采用TMAH蚀刻形成西格玛沟槽。本发明在进行源漏嵌入锗硅的过程中,避免了PMOS和NMOS的高度差产生,不会影响对后续制程产生影响。
今年以来晶合集成新获得专利授权180个,较去年同期增加了52.54%。结合公司2025年年报财务数据,2025年公司在研发方面投入了14.53亿元,同比增13.2%。
通过天眼查大数据分析,合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了11家企业,参与招投标项目644次;财产线索方面有商标信息75条,专利信息1621条,著作权信息9条;此外企业还拥有行政许可26个。
数据来源:天眼查APP
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