上海
证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体器件中西格玛沟槽的制作方法”，专利申请号为CN202610005557.7，授权日为2026年4月28日。
专利摘要：本发明属于半导体技术领域，公开一种半导体器件中西格玛沟槽的制作方法，包括：提供一衬底，衬底包括第一器件区和第二器件区；第一器件区的第一有源区上形成有PMOS区栅极和PMOS栅极掩膜层；使PMOS栅极掩膜层的顶部暴露在第一器件区形光刻胶层外部；在第二器件区顶部以及PMOS栅极掩膜层顶部沉积一层沉积氧化硅层；去除第一器件区的光刻胶层；刻蚀去除第一有源区表面自然氧化硅层，进而蚀刻第一有源区的硅，在第一器件区的半导体衬底中形成U型沟槽；对U型沟槽采用TMAH蚀刻形成西格玛沟槽。本发明在进行源漏嵌入锗硅的过程中，避免了PMOS和NMOS的高度差产生，不会影响对后续制程产生影响。
今年以来晶合集成新获得专利授权180个，较去年同期增加了52.54%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了14.53亿元，同比增13.2%。
通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目644次；财产线索方面有商标信息75条，专利信息1621条，著作权信息9条；此外企业还拥有行政许可26个。
数据来源：天眼查APP
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