中国晶圆代工最新动态

AI 算力需求爆发带动存储行业开启新一轮上行周期，DRAM、NAND、HBM 的技术迭代，叠加 CoWoS 先进封装需求增长，推动存储厂商产能扩张，为逻辑代工带来增量需求；同时台韩头部厂商缩减成熟制程产能，大陆晶圆厂迎来产能转移机遇，本土逻辑代工景气度上行。

存储代工需求放量（核心技术与产能数据）
1. DRAM：CBA 架构驱动代工需求

• 技术迭代：DRAM 制程微缩放缓，CBA（CMOS 键合阵列）架构成为主流方向，外围电路转向FinFET 工艺，存储厂商倾向委外逻辑代工。

• 产能预测：2030 年 CBA 架构为全球逻辑代工新增71 万片 / 月（12 英寸），本土需求 49 万片 / 月。

• 技术迭代：长江存储采用Xtacking 架构，铠侠等海外厂商跟进CBA 架构，外围电路升级至HKMG 工艺，分离式制造拉动逻辑代工。

• 产能预测：2030 年为全球逻辑代工新增142.8 万片 / 月（12 英寸），本土需求 59 万片 / 月。

• HBM：Base Die 从 DRAM 工艺转向FinFET 工艺，2030 年全球需求7 万片 / 月，本土 1.4 万片 / 月。

• CoWoS：中介层拉动 12 寸硅基需求，2030 年全球需求15.6 万片 / 月，本土 3.9 万片 / 月。

领域

2030 年全球逻辑代工需求（万片 / 月，12 英寸）

2030 年本土需求（万片 / 月，12 英寸）

DRAM（CBA）

71

49

NAND（CBA）

59

HBM

7

1.4

CoWoS

15.6

3.9

成熟制程产能转移机遇

1. 台韩产能收缩

   台积电、三星 2025 年起缩减 8 英寸产能，2026 年全球 8 英寸产能同比 -2.4%，台韩占全球 8 英寸产能约10%；台积电同步缩减 12 英寸成熟制程，力积电 12 英寸产能被美光收购。

2. 
   
3. 大陆份额提升

   ：2027 年中国大陆成熟制程全球占比将从 2024 年的33%升至45%，本土晶圆厂承接大量外溢需求。

答案：核心驱动分为需求增量和供给转移两大维度。需求端，AI 推动 DRAM/NAND 向 CBA 架构升级、HBM Base Die 转向 FinFET 工艺、CoWoS 中介层需求增长，带来大量逻辑代工新增需求；供给端，台积电、三星主动缩减 8 英寸及 12 英寸成熟制程产能，大陆晶圆厂承接全球外溢需求，成熟制程份额持续提升。

问题 2：2030 年存储及先进封装领域，将为全球和本土带来多少逻辑代工产能需求？

答案：2030 年各领域 12 英寸逻辑代工产能需求如下：DRAM（CBA）全球 71 万片 / 月、本土 49 万片 / 月；NAND（CBA）全球 142.8 万片 / 月、本土 59 万片 / 月；HBM 全球 7 万片 / 月、本土 1.4 万片 / 月；CoWoS 全球 15.6 万片 / 月、本土 3.9 万片 / 月。

问题 3：不同技术趋势下，本土晶圆代工企业的受益逻辑有何差异？

答案：1. 存储逻辑代工需求（CBA 架构）：晶合集成凭借 28/40nm 工艺及 12 英寸产线扩产，直接受益存储外围电路委外需求；2. 成熟制程产能转移：华虹公司、华润微、燕东微、芯联集成依托特色工艺与 8/12 英寸产线，承接台韩退出的成熟制程订单；3. 先进制程需求：中芯国际凭借 FinFET 先进工艺，受益 HBM Base Die 的先进代工需求。