国投证券：AIDC供电走向800VHVDC技术架构 SiC功率器件在多领域迎新增量

智通财经APP获悉，国投证券发布研报称，AI机柜功率密度持续飙升，800VHVDC高压直流架构是下一代 AI数据中心的必然选择，SiC功率器件需求有望随800VHVDC方案推进而扩大。同时，SiC在超高功率密度的封装场景及智能眼镜光学系统升级方面也具备优势，应用有望拓展。

国投证券主要观点如下：

AIDC供电走向800VHVDC技术架构，SiC功率器件迎来新增量

AI机柜功率密度持续飙升，传统低压供电已达物理极限，800VHVDC高压直流架构是下一代AI数据中心的必然选择。英伟达2025年5月官方宣布，数据中心正从当前的54V机架供电向800VHVDC高压直流架构过渡，目标是2027年实现该架构的规模化商用，以支撑1MW及以上超高功率密度IT机架的电力需求。随着AI服务器功耗上行与机柜功率密度提升，对开关器件的耐压、效率与热管理提出更高要求，SiC功率器件在高压高频场景下具备更强适配性，需求有望随800VHVDC方案推进而扩大。

SiC的高导热特性，在超高功率密度的封装场景中具备优势

CoWoS等先进封装已成为GPU+HBM高带宽互连的重要路径，但更高TDP与更大互连跨度使热点温升、CTE失配与可靠性问题凸显。SiC的“高热导率+高刚性+高耐温”特性，在超高功率密度的封装场景中有显著优势。在COWOS中介层应用中，SiC热导率显著高于硅，且具有高硬度与低热膨胀系数，有助于降低热点温度、抑制翘曲。作为散热基座时，SiC可缩短热扩散路径，提升整体散热与机械稳定性。在功率器件协同路径中，SiC器件的高耐压、高效率与高温可靠性可用于近封装电源管理场景，以提升供电效率。随着AI芯片功率密度越来越高，SiC从散热基座到中介层的应用有望在高端芯片封装领域中开始渗透。

SiC+光波导有望成为下一代智能眼镜光学系统主流方案

终端形态向“眼镜化”演进，光学系统对折射率、厚度、杂散光控制与环境稳定性要求显著提升；显示侧对高亮度与散热提出更严苛的要求。传统玻璃与树脂基材已逼近物理性能极限，难以满足下一代智能眼镜的核心体验要求。相比之下，碳化硅（SiC）凭借其超高折射率、高热导率与高硬度的独特材料特性，在衍射光波导技术路线上实现了代际突破，有望成为AI智能眼镜光学系统升级的主流方向。Meta在其Orion AI眼镜旗舰原型机中，正式采用碳化硅基光波导架构。

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风险提示：AI落地进展不及预期；产品研发不及预期；市场开拓不及预期。