北京
国家知识产权局信息显示，领泰半导体（青岛）有限公司申请一项名为“具有短沟道的嵌入式超级势垒整流器的碳化硅双栅MOSFET”的专利，公开号CN121924806A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，一种具有双栅沟槽的碳化硅功率器件单元胞，其中碳化硅MOSFET的第一栅沟道区沿第一类栅沟槽的至少一个侧壁形成并与第一源区连接，碳化硅超级势垒整流器（作为MOS沟道二极管）的第二栅沟道区沿第二类栅沟槽的侧壁形成并与第二源区连接，以使寄生体二极管失效，从而降低关断开关损耗。第一P屏蔽区围绕第二类栅沟槽的底部区域，并通过侧壁P型区连接至源极金属；第二P屏蔽区邻接第一体区的下表面，与相邻的第二P屏蔽区形成饱和电流夹断区，用于提升短路能力并降低栅氧化层电场。
天眼查资料显示，领泰半导体（青岛）有限公司，成立于2023年，位于青岛市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，领泰半导体（青岛）有限公司共对外投资了1家企业，专利信息1条，此外企业还拥有行政许可1个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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