【硬件资讯】狂飙的三星！更多新类型内存进展突飞猛进，3GB GDDR7交付测试、HBM4E提上日程、SOCAMM2量产提速！！

新 闻1： 单颗容量 3GB，消息称三星 36 Gbps GDDR7 显存已送样测试

4 月 15 日消息，科技媒体 TechPowerUp 昨日（4 月 14 日）发布博文，报道称三星已开始向其客户供应速率为 36 Gbps 的 GDDR7 显存样品，单颗容量达 24 Gb，即 3GB。

消息称三星目前也在量产 28 Gbps 的 3GB 显存模块，后者将成为市场主流选择；而 32 Gbps 与 36 Gbps 高速版本可能仅限于专业级显卡使用。

对于消费级市场，此前有消息称英伟达会在 2026 年第 2 季度更新推出三款 SUPER 系列显卡，涵盖 RTX 5070 SUPER、RTX 5070 Ti SUPER 及 RTX 5080 SUPER，最大的亮点是为满足高分辨率游戏与 AI 计算需求，显存容量比非 SUPER 版本增加 50%。IT之家附上相关预估规格如下：

原文链接：https://m.ithome.com/html/939316.htm

前几天我们刚说过NVIDIA有可能会使用3GB GDDR7显存来生产9G显存RTX 5060、5060Ti，这一切的背后支撑就是几大存储厂商都在押注这一规格，转移产能。最新的消息则是，三星已经开始向客户交付性能测试版本，这次交付的是更高速率的36 Gbps，28Gbps的版本已经量产了，这才是咱们消费级显卡上会用到的，但也看出了存储厂商的趋势了。

新 闻 2：消息称三星电子计划 5 月生产首批 HBM4E 内存性能样品

4 月 16 日消息，韩媒 ChosunBiz 当地时间今晨报道称，三星电子计划在 5 月生产首批性能可满足客户要求的 HBM4E 内存样品，为 2027~2028 年的供应打下基础。

三星电子在今年早些时候的 NVIDIA 英伟达 GTC 2026 上公开展示了 HBM4E 内存，可实现 16Gbps 的每 Pin 数据传输速率，整体带宽达 4.0TB/s。不过业内人士认为那时的样品仅是用于展示三星电子技术实力的演示样品。

与 HBM4 一样，三星电子的 HBM4E 将采用 1c nm DRAM Die 和 4nm Base Die，不过工艺细节将有所改进。三星晶圆代工计划在 5 月中旬之前完成 HBM4E 性能样品 Base Die 的生产，交付存储器业务以进行后续 3D 封装工序。

原文链接：https://m.ithome.com/html/939745.htm

另一个领域，三星竟然已经开始推进HBM4E了？？看来真的是痛定思痛，上一个时代三星在HBM3和HBM3E上大幅落后，对整个三星存储的影响都是巨大的，现在在HBM4和HBM4E上终于都是最领先的了。现在已经具备性能测试的能力的话，想来进度很健康了。

新 闻3： 三星解决SOCAMM2生产难题，量产时间或领先于SK海力士和美光

去年末，三星推出了SOCAMM2（Small Outline Compression Attached Memory Module）内存模块。这是一款基于LPDDR构建的服务器内存模块，专为AI数据中心设计。通过结合LPDDR技术的优势与模块化、可拆卸设计，SOCAMM2实现更高的带宽、更高的能效、以及灵活的系统集成，使AI服务器实现更高的效率和可扩展性。

据TrendForce报道，三星已经解决了SOCAMM2生产过程中的一个关键技术难题，即影响整体良率的翘曲问题，在量产前扫除了重大障碍，可能会在量产时间表上领先于SK海力士和美光。三星是凭借自家开发的下一代低温焊料（LTS）技术来解决这一问题，焊接过程中所需要的温度从260°C以上降至150°C以下，通过大幅降低峰值温度，最大限度地减少了热膨胀系数差异引起的变形错位。

所谓变形，就是指制造过程中因发热导致部件的轻微弯曲，主要原因就是材料间热膨胀系数差异造成的，其中SOCAMM2非常容易受到影响。这是由于SOCAMM2所使用的LPDDR5X芯片拼成模块并通过螺栓压缩固定的结构，增加了连接失败的风险。

除了温度控制外，三星还进行了多项改进，包括将Die布局从双堆栈改为单堆栈，同时优化环氧塑封料（EMC）的厚度和热膨胀系数，另外还使用了高精度仿真模型，以提高对翘曲位置的预测准确性。

原文链接：https://www.expreview.com/105129.html

大家对SOCAMM2这个新的内存标准大家可能还有些陌生，但是CAMM2应该还是有些印象的吧？毕竟是JEDEC宣布的新DDR6内存的标准，而SOCAMM2就是CAMM2的小型化衍生标准。这个标准的优势就是解决了插槽式DIMM标准的延迟、空桩效应等，对内存速率和可靠性的影响，也被视为HBM方案的可靠替代，事实上，我们现在看到DDR5内存的极限频率，就已经被DIMM标准拖累了。

三星在这一技术上领先，不光是抢先占领专业市场，也是为下一代消费级内存提前做好技术储备，真是越过越好了啊三星。

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