北京
国家知识产权局信息显示，聚辰半导体股份有限公司申请一项名为“一种芯片上电过程中的数据比对方法及相关设备”的专利，公开号CN121901023A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种芯片上电过程中的数据比对方法及相关设备，芯片的NVR的第一地址和相邻的第二地址存储有互为反码的第一Tag值和第二Tag值，所述方法包括：S10、分别从第一地址和第二地址读取第一Tag值和第二Tag值，并与预设值比对比对第一Tag值和第二Tag值是否正确；S20、若第一Tag值和第二Tag值均正确，则依次读取第二地址后存储的校准值数据；校准值数据包括若干个由位于相邻地址的校准值的原码和反码组成的校准值对；S30、依次比对每个校准值对中的校准值的原码和反码是否互为反码，若互为反码，则将校准值的原码写入对应的寄存器中，直至读取并比对完所有校准值对。本发明保证了校准值的读取准确性，且增加了控制寄存器的可靠性，提高了芯片性能。
天眼查资料显示，聚辰半导体股份有限公司，成立于2009年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本15827.1044万人民币。通过天眼查大数据分析，聚辰半导体股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息109条，此外企业还拥有行政许可7个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
